时间：2025/5/19 15:33:45
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SGL50N60RUFDTU是一款高压功率MOSFET，采用N沟道增强型技术。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。其设计优化了导通电阻与开关损耗之间的平衡，从而提高了效率和可靠性。该芯片具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能。
型号：SGL50N60RUFDTU
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω（典型值，在Vgs=10V时）
输入电容(Ciss)：3500pF
开关时间：ton=40ns，toff=15ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
这款MOSFET的主要特点是高耐压能力，达到600V，适用于各种高压场景。其次，它具备较低的导通电阻（0.18Ω），能够减少传导损耗并提升系统效率。
此外，SGL50N60RUFDTU还拥有非常短的开关时间，分别为40ns的开通时间和15ns的关断时间，使得它非常适合高频应用环境。该芯片采用了TO-247封装，这种封装形式有助于散热，确保在高功率操作下稳定运行。
该器件的工作温度范围宽广，从-55℃到+175℃，能够在极端条件下可靠工作。同时，它的输入电容较小，降低了驱动功耗需求，进一步提升了整体性能。
SGL50N60RUFDTU广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 高频开关电源
- DC-DC转换器
- 逆变器
- 电机驱动
- 工业控制
- 不间断电源(UPS)
由于其高电压承受能力和低导通电阻，这款MOSFET特别适合需要高效能量转换和高可靠性的应用场景。
SGL50N60RUFDPU
SGL40N60RUFDTU
IRFP460
FDP50N60
