类型：快恢复二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：600 V
　　最大直流阻断电压（VR）：600 V
　　平均整流电流（IO）：11 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：150 A
　　最大正向电压降（VF）：1.75 V（在 11 A 条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：5 μA（典型值），50 μA（最大值）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：SMC（DO-277A）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数量：2
　　热阻（RθJA）：约 20 °C/W（依PCB布局而定）
　　热阻（RθJC）：约 1.5 °C/W

11F60C3M 具备出色的电气与热性能，尤其适合在高频开关电源环境中使用。其关键特性之一是快速反向恢复时间（trr = 35 ns），这显著降低了开关过程中的能量损耗，提升了电源系统的整体效率。在高频操作中，慢速恢复的二极管会产生较大的反向恢复电流尖峰，从而增加电磁干扰（EMI）和开关器件的应力；而 11F60C3M 的快速恢复能力有效抑制了此类问题，使电路运行更加平稳可靠。
　　该器件的最大重复反向电压为 600 V，能够承受瞬态高压波动，适用于多种通用和工业级电源拓扑结构。其平均整流电流高达 11 A，表明其具备较强的载流能力，可在高功率密度设计中替代多个低电流二极管，简化电路布局并提高可靠性。此外，正向压降低至 1.75 V（在 11 A 下），减少了导通状态下的功率损耗，有利于提高能效并降低散热需求。
　　11F60C3M 采用 SMC 封装，具有较小的占板面积和良好的散热性能。该封装支持自动化贴片生产，适合大规模 SMT 工艺，提高了生产效率和产品一致性。其低热阻特性（RθJC ≈ 1.5 °C/W）意味着热量可以高效地从芯片传递到 PCB，从而延长器件寿命并增强长期稳定性。
　　器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +175°C，使其能够在极端环境条件下正常工作，适用于汽车电子、工业控制、通信电源等领域。同时，它具备优异的抗浪涌能力，可承受高达 150 A 的峰值正向浪涌电流，增强了对电网波动或启动冲击的耐受性。综合来看，11F60C3M 是一款高性能、高可靠性的快恢复二极管，满足现代电源系统对小型化、高效化和环保化的需求。

11F60C3M 广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电力电子系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为输出整流二极管使用。其高耐压和大电流能力使其适用于笔记本电脑适配器、台式机电源、LED 驱动电源等消费类电子产品中的功率转换模块。
　　在工业领域，该器件可用于电机驱动器、UPS 不间断电源、逆变器以及各种工业电源模块中，承担续流、箝位或隔离功能。由于其快速恢复特性，特别适合用于有源箝位正激变换器、反激变换器等拓扑结构中，以减少开关损耗并改善动态响应。
　　在通信设备中，11F60C3M 可用于基站电源、服务器电源等高可靠性供电单元，确保长时间稳定运行。此外，在新能源系统如太阳能微型逆变器或储能系统中，该二极管也可作为辅助电源或控制电路的一部分，发挥整流作用。
　　由于其符合 RoHS 和无卤素标准，11F60C3M 也适用于对环保要求严格的出口型电子产品。其表面贴装封装形式便于自动化装配，适合大批量生产场景。总体而言，该器件凭借其高性能参数和坚固的设计，已成为现代中高功率电源系统中的理想选择之一。

MUR1160CT
　　ES1J-13-F
　　STTH1R6U06D
　　FRED1160S