时间：2025/10/11 6:17:23
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02NR-E6S(LF)是一款由ROHM Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的热稳定性等特点。其封装形式为SOT-23（小型晶体管外形封装），属于表面贴装型器件，适合高密度PCB布局和自动化贴片生产。该型号后缀中的(LF)表示产品符合无铅（Lead-Free）环保要求，适用于对环境友好型电子产品的需求。
02NR-E6S专为低电压、大电流开关应用设计，在便携式设备如智能手机、平板电脑、无线耳机以及各类电池供电系统中表现出色。由于其快速的开关响应能力和较低的栅极电荷（Qg），能够有效减少开关损耗，提高整体电源转换效率。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，增强了系统的可靠性与安全性。在实际使用中，工程师需注意其最大漏源电压（VDS）、连续漏极电流（ID）以及功耗限制，以确保在安全工作区内运行。
型号：02NR-E6S(LF)
类型：N沟道MOSFET
封装/包装：SOT-23
制造商：ROHM Semiconductor
渠道商：Digi-Key, Mouser, LCSC等
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
最小包装：1个
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
击穿电压V(BR)DSS：20V
阈值电压VGS(th)：典型值1.2V，最大值2.5V
连续漏极电流ID@25℃：3.4A
脉冲漏极电流IDM：10A
最大漏源导通电阻RDS(on)@VGS=4.5V：27mΩ
最大漏源导通电阻RDS(on)@VGS=2.5V：35mΩ
最大漏源导通电阻RDS(on)@VGS=1.8V：50mΩ
栅极电荷Qg：典型值5.5nC
输入电容Ciss：典型值220pF
输出电容Coss：典型值90pF
反向恢复时间trr：未指定体二极管快速恢复
功率耗散PD：最大约300mW（取决于PCB散热条件）
02NR-E6S(LF)的核心优势在于其极低的导通电阻与紧凑的封装尺寸相结合，使其成为现代低电压电源开关应用的理想选择。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为27mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升能效并减少发热。即使在较低的驱动电压如1.8V下，仍能保持50mΩ的导通电阻，这使得它非常适合用于由逻辑信号或低压控制器直接驱动的应用场合，例如由微控制器GPIO引脚控制的小功率负载开关。
该器件采用了ROHM成熟的沟槽结构工艺，优化了载流子迁移路径，从而在小尺寸下实现较高的电流承载能力。3.4A的连续漏极电流能力在SOT-23封装中处于领先水平，远超许多同类竞争产品。同时，其栅极电荷Qg仅5.5nC，意味着开关速度快、驱动功耗低，有利于高频操作下的效率优化。这对于DC-DC降压变换器、同步整流以及负载切换电路尤为重要。
热性能方面，尽管SOT-23封装本身热阻较高，但通过合理设计PCB铜箔面积作为散热路径，可以有效提升其功率处理能力。建议在布板时增加足够的接地铜层或多点连接散热焊盘，以改善散热效果。此外，器件具备高达150℃的工作结温上限，支持严苛环境下的稳定运行。静电放电（ESD）防护能力也较强，提高了生产装配过程中的鲁棒性。
02NR-E6S(LF)还具备良好的开关一致性与批次稳定性，适合大规模量产应用。其无铅环保设计符合全球主流市场的法规要求，包括RoHS、REACH等标准，便于出口及进入绿色供应链体系。总体而言，这款MOSFET在性能、尺寸与成本之间实现了良好平衡，是消费类电子和工业控制领域中小功率开关应用的优选器件之一。
02NR-E6S(LF)主要用于需要高效、小型化电源管理解决方案的电子设备中。典型应用场景包括移动终端中的电池供电切换、USB接口电源控制、LED背光驱动、便携式医疗设备电源模块、智能穿戴设备中的负载开关以及各类低电压DC-DC转换器的同步整流部分。由于其支持逻辑电平驱动，常被用于替代机械继电器或双极晶体管，实现更安静、更可靠的电子开关功能。
在电源管理系统中，该MOSFET可用于电池与主系统之间的通断控制，防止反向电流流动，同时降低压降和能量损失。在多电源路径管理（如主电池与备用电池切换）中，它可以作为理想二极管使用，避免传统肖特基二极管的高正向压降问题。
此外，该器件适用于各种数字控制的开关电路，例如由MCU或FPGA控制的外围设备供电启停，实现节能待机模式。在电机驱动、传感器供电隔离、音频设备电源静音控制等领域也有广泛应用。得益于其表面贴装封装，特别适合自动化生产和空间受限的设计需求。
2N7002K, BSS138, FDN337N, SI2302DS, AOD1406
