制造商：MACOM
　　产品类别：射频二极管
　　二极管类型：PIN 二极管
　　配置：单个
　　工作频率范围：DC 至 6 GHz
　　正向电流（IF）：100 mA（最大值）
　　反向击穿电压（VBR）：90 V（最小值）
　　串联电阻（Rs）：1.2 Ω（典型值）
　　零偏电容（Cj）：0.4 pF（典型值）
　　热时间常数：360 ns
　　封装类型：陶瓷SMD封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

1111SQ-36NGEC 的核心特性之一是其优化的PIN结构设计，该结构由P型层、本征层（I-layer）和N型层组成，其中本征层较宽，能够在高频下实现优异的载流子存储效应与快速响应能力。这种结构使得该二极管在用作射频开关时表现出极低的插入损耗和非常高的隔离度。例如，在2 GHz频率下，其插入损耗可低至0.2 dB，而关断状态下的隔离度可达40 dB以上，确保了信号路径之间的高度隔离，防止串扰和信号泄漏。
　　另一个显著特点是其出色的功率处理能力。1111SQ-36NGEC 能够承受较高的连续波（CW）功率和峰值脉冲功率，这得益于其低串联电阻（Rs = 1.2 Ω）和高效的热传导路径设计。即使在高温环境下长时间运行，其性能衰减也非常小，保证了系统的长期稳定性。同时，该器件具有较长的载流子寿命（热时间常数为360纳秒），使其在慢速开关应用中表现优异，尤其适用于需要平滑过渡和低失真的模拟控制电路。
　　该器件还具备卓越的环境适应性。其陶瓷表面贴装封装不仅提供了良好的气密性，防止湿气和污染物侵入，还能有效抵御极端温度变化带来的热应力。工作温度范围覆盖从-55°C到+150°C，完全满足军用级应用需求。此外，该器件符合RoHS指令要求，并通过了多项可靠性测试，包括温度循环、高压蒸煮试验和机械冲击测试，确保其在航空、航天和地面移动平台等复杂电磁环境中稳定工作。
　　最后，1111SQ-36NGEC 提供了良好的匹配特性，其零偏电容仅为0.4 pF，有助于减少高频信号反射，提高系统整体的回波损耗性能。这一特性对于宽带射频开关和可调匹配网络尤为重要。结合其高反向击穿电压（90 V min），该器件可在高压瞬态事件中提供一定的保护作用，提升整个射频前端的鲁棒性。

1111SQ-36NGEC 广泛应用于需要高可靠性和高性能的射频与微波系统中。其中一个主要应用场景是在雷达系统中作为收发（T/R）模块中的射频开关元件，用于在发射和接收模式之间切换天线连接。由于其高隔离度和低插入损耗特性，能够有效防止发射信号泄露到敏感的接收链路中，从而避免低噪声放大器（LNA）损坏并提升系统灵敏度。
　　在无线通信基础设施中，该器件常用于基站中的可重构滤波器、天线调谐单元和负载切换电路。特别是在多频段、多模基站中，1111SQ-36NGEC 可作为天线阻抗匹配网络的一部分，动态调整天线输入阻抗以适应不同频段的操作，提升传输效率和信号质量。
　　此外，它也被广泛应用于测试与测量仪器，如矢量网络分析仪（VNA）和信号发生器中的内部信号路由开关。在这些设备中，对信号完整性要求极高，而该器件的低非线性失真和稳定的电容特性确保了测量精度不受影响。
　　在航空航天和国防电子系统中，1111SQ-36NGEC 因其军规级质量和环境耐受能力，被用于机载通信系统、电子战（EW）干扰机、导弹制导系统和卫星通信终端。其陶瓷封装和宽温工作能力使其能在高空低温或发动机附近高温环境中持续运行。
　　除此之外，该器件还可用于高功率射频自动增益控制（AGC）电路、可变衰减器和限幅保护电路中，凭借其线性可控的电阻特性和快速响应能力，实现精确的信号电平调节和过载保护功能。