时间：2025/9/2 8:53:52
阅读：10
H9TKNNN4GDMPLR-NDM 是由SK Hynix生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片通常用于需要高速内存访问的高端设备，如服务器、网络设备和高性能计算系统。其封装设计和电气特性优化了系统性能，同时保证了可靠性和稳定性。
类型：DRAM
容量：4 Gb（512MB x 8）
电压：1.35V（低电压版）
封装：FBGA
数据速率：1600 Mbps
接口类型：x8
工作温度：工业级（-40°C至+85°C）
时钟频率：800 MHz
组织结构：512MB x 8
H9TKNNN4GDMPLR-NDM 是一款基于LPDDR4（低功耗双倍数据速率4代）技术的高性能DRAM芯片。它采用先进的制造工艺，提供高速数据传输和低功耗运行，适用于现代高性能计算系统中的内存需求。该芯片的封装采用紧凑的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）形式，有助于减少PCB布局空间并提高散热性能。
其工作电压为1.35V，相比传统DDR3 SDRAM，功耗更低，适用于对功耗敏感的应用场景。此外，H9TKNNN4GDMPLR-NDM支持800MHz的时钟频率，并可实现1600Mbps的数据传输速率，能够满足高速数据处理的需求。
这款DRAM芯片具备出色的稳定性和可靠性，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种严苛环境下的稳定运行。它还支持多种功能，如自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新等，以提高系统稳定性和数据完整性。
H9TKNNN4GDMPLR-NDM 广泛应用于需要高性能内存的设备，包括高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、服务器、网络设备和高性能计算系统。由于其低功耗和高数据传输速率，特别适用于需要长时间运行和大数据处理的场景。
H9TCNNN8GDMULR-NDM, H9TPNNN8GDMULR-NDM
