电容值：100pF
　　容差：±20%
　　额定电压：1000V
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　介质材料：陶瓷
　　绝缘电阻：≥10000MΩ
　　时间常数：≥1000s
　　老化率：不适用（C0G 材料无老化）
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　介质损耗（tanδ）：≤0.15%
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层，锡镀层
　　符合标准：RoHS 合规，AEC-Q200（如适用）

1101M2S3AV2BE2 采用 C0G（也称为 NP0）类型的陶瓷介质材料，这种材料以其极高的温度稳定性和电性能稳定性著称。在 -55°C 至 +125°C 的整个工作温度范围内，其电容值变化不超过 ±30ppm/°C，确保了在极端环境条件下仍能维持精准的电容特性。这一特性使得该电容器非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、滤波器和定时电路中。C0G 材料还具有几乎为零的老化率，这意味着电容器的电容值不会随着时间推移而发生显著漂移，从而提高了系统的长期可靠性。
　　该器件的额定电压高达 1000V，使其能够在高压电源电路或需要承受瞬态高压的应用中安全运行。同时，其 100pF 的标称电容值和 ±20% 的容差设计，在满足精度需求的同时也提供了良好的生产一致性。1210 封装（3.2mm x 2.5mm）提供了足够的爬电距离和电气间隙，增强了高压下的绝缘性能。该封装还兼容自动化贴片工艺，便于大规模生产。
　　1101M2S3AV2BE2 具有极低的介质损耗（tanδ ≤ 0.15%）和低等效串联电阻（ESR），这使其在高频应用场景下表现出色，能够有效减少能量损耗并提升电路效率。其高绝缘电阻（≥10000MΩ）进一步保证了漏电流极小，适用于高阻抗和精密模拟电路。此外，其镍阻挡层加锡镀层的端接结构不仅增强了焊接可靠性，还能有效防止银离子迁移，提升湿热环境下的耐久性。

1101M2S3AV2BE2 多层陶瓷电容器因其高电压耐受能力、卓越的温度稳定性和长期可靠性，被广泛应用于多个高端电子领域。在工业电子中，它常用于 PLC 控制器、电机驱动器和开关电源中的高压滤波与去耦电路。在通信设备中，该电容可用于射频功率放大器的匹配网络、基站滤波模块以及高频信号耦合路径，利用其 C0G 特性保障信号完整性。在医疗电子设备中，如超声成像系统和病人监护仪，其低噪声和高稳定性确保了敏感模拟信号链的精确处理。
　　在汽车电子领域，尽管需确认是否通过 AEC-Q200 认证，但类似规格的 MLCC 常用于车载电源管理单元、LED 驱动电路和 ADAS 传感器模块中，尤其是在需要耐受发动机舱高温和振动的环境中表现优异。此外，该器件也可用于测试与测量仪器，例如示波器、频谱分析仪和信号发生器中的精密 RC 网络，以维持仪器的校准精度和长期稳定性。在高压电源系统中，如激光电源和 X 光发生器，其 1000V 额定电压和高绝缘性能可有效支持直流支撑和脉冲储能功能。