BAS100CS-AU_R1_000A1是一款高性能的双极型晶体管(BJT),广泛应用于模拟和数字电路中的开关和放大功能。该晶体管采用小型化的SOT-23封装,适合高密度组装需求,同时具备低饱和电压、高增益以及快速开关速度的特点。这种器件通常用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
集电极-发射极饱和电压:0.2V
直流电流增益(hFE):100
集电极最大电流:200mA
集电极-发射极击穿电压:50V
功率耗散:350mW
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
BAS100CS-AU_R1_000A1的主要特点是其卓越的电气性能与紧凑的封装设计。首先,它具有较低的饱和电压,能够有效减少开关损耗并提高效率。
其次,其直流电流增益(hFE)为100,确保了在各种应用场景下的稳定性和可靠性。
此外,该晶体管还支持高达200mA的集电极电流,并能承受最高50V的集电极-发射极电压,适用于广泛的电压和电流范围。
它的SOT-23封装形式不仅节省空间,而且有助于提升散热性能,非常适合对尺寸敏感的应用环境。
最后,其宽广的工作温度范围(-55℃至+150℃)使其能够在极端环境下正常运行,满足工业和汽车级应用的需求。
该晶体管广泛应用于各种领域,包括但不限于消费类电子产品中的信号切换和放大,如手机、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块;工业自动化控制系统的传感器接口电路;通信设备中的射频前端电路;家用电器中的驱动电路以及LED照明控制等方面。
BAS100CS-AU_R1_000A1凭借其出色的性能指标,在需要高频响应或低功耗特性的场景下表现尤为突出。
BAS16WS-T1-E3, 2SD965