型号：10NM60
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：10A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.75Ω（@VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约1100pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：约280pF
　　反向恢复时间（trr）：无体二极管或极快恢复
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

10NM60具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高耐压与相对较低的导通损耗之间的良好平衡。该MOSFET的漏源击穿电压高达600V，使其非常适合用于离线式开关电源设计，例如AC-DC适配器、LED驱动电源和PFC电路中。在这些应用中，它能够承受来自市电整流后的高压直流母线电压，并通过PWM控制实现高效的能量转换。其导通电阻RDS(on)在VGS=10V时典型值为0.75Ω，这一数值在同等级别的600V MOSFET中处于中等偏优水平，有助于减少导通期间的功率损耗，提升整体系统效率。
　　此外，10NM60采用了优化的晶圆工艺，提升了器件的雪崩能量耐受能力和抗短路过载能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。其栅极结构设计使得输入电容Ciss控制在合理范围内，配合较低的栅极电荷Qg，可有效降低驱动电路的功耗，尤其适合高频开关应用。同时，该器件具有较宽的工作温度范围（-55℃至+150℃），可在恶劣环境条件下长期可靠运行，满足工业级应用需求。
　　另一个重要特性是其良好的热传导性能。得益于TO-220封装的设计，10NM60可通过外接散热片将内部产生的热量迅速散发出去，避免因温升过高而导致性能下降或热失效。此外，该器件还内置了快速体二极管（若数据手册明确支持），可用于续流路径，在桥式拓扑或感性负载切换过程中提供必要的电流回路。综合来看，10NM60以其高电压能力、适中的电流承载能力、合理的导通损耗以及可靠的封装设计，成为中小功率开关电源领域中的一款经典且实用的功率MOSFET器件。

10NM60主要应用于各类中等功率的电力电子设备中，尤其是在需要将交流电转换为直流电或者进行直流电压变换的场合。典型应用包括反激式（Flyback）和正激式（Forward）开关电源，这类电源广泛用于家电、办公设备、通信电源模块等领域。在此类拓扑中，10NM60作为主开关管连接在变压器初级侧，负责周期性地切断和接通高压直流母线，从而实现能量向次级侧的传递。由于其600V的耐压能力足以覆盖整流后约310V的峰值电压并留有足够裕量，因此在220V AC输入系统中表现出良好的安全性和稳定性。
　　此外，该器件也常用于功率因数校正（PFC）电路中，特别是在临界导通模式（CRM）或连续导通模式（CCM）升压PFC拓扑中担任开关元件。在这种应用中，10NM60需频繁开关以调节输入电流波形，使其接近正弦波并与电压同相，从而提高系统的功率因数并减少谐波污染。此时，器件的低栅极电荷和较快的开关速度有助于降低驱动损耗和开关损耗，提升PFC级的整体效率。
　　其他应用场景还包括LED恒流驱动电源、小型逆变器、UPS不间断电源、电机控制器以及电池充电器等。在这些系统中，10NM60不仅承担着能量传输的关键角色，还需具备一定的抗浪涌和抗雷击能力。因此，实际使用中通常会配合TVS二极管、RC吸收电路或RCD钳位电路来保护MOSFET免受电压尖峰冲击。总之，凭借其高压耐受能力、稳定的电气参数和成熟的封装技术，10NM60已成为众多工程师在设计百瓦级以下开关电源时优先考虑的功率开关器件之一。

FQP10N60C
　　STP10NK60ZFP
　　KIA10N60
　　IRFGB30
　　FGP10N60