时间：2025/6/13 13:34:43
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SQCB7M240JATME 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于各种开关和功率管理应用。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，能够支持高电流密度并提供出色的散热性能。
这款 MOSFET 主要针对消费电子、通信设备以及工业控制等领域中的 转换器、电机驱动和其他功率转换电路进行了优化设计。
型号：SQCB7M240JATME
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：40V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.3mΩ
Id（持续漏极电流）：240A
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.5V~3V
Qg（总栅极电荷）：9nC
EAS（雪崩能量）：1.5mJ
封装：PowerPAK? 1212-8
SQCB7M240JATME 的主要特性包括：
1. 极低的 Rds(on)，可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高 Id 支持大电流应用，满足高功率需求。
3. 小巧的 PowerPAK? 1212-8 封装，节省 PCB 空间。
4. 出色的热性能，确保在高功耗场景下的稳定性。
5. 快速开关能力，适合高频 DC/DC 转换器等应用。
6. 提供良好的 ESD 和雪崩保护功能，增强可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
SQCB7M240JATME 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率转换。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 汽车电子系统中的电池保护和配电。
5. 计算机和服务器中的多相 VRM（电压调节模块）。
6. LED 照明系统的驱动电路。
7. 各类 DC/DC 和 AC/DC 转换器设计。
SQJB7P240EATME, SQDB7M240EATME
