类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：300V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（Max 0.85Ω @ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（Pd）：150W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：约1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约350pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管快恢复功能
　　封装形式：TO-220 / TO-247

10N30-HC的核心特性之一是其高耐压能力，漏源击穿电压高达300V，使其适用于多种高压开关应用环境。这一特性使得它能够在离线式开关电源中直接用于主开关管，尤其是在反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中表现出色。高Vds额定值不仅提高了系统的安全裕度，还能有效应对瞬态电压冲击，从而增强整个电源系统的可靠性。
　　其次，该器件具备较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为0.65Ω，在同类300V N沟道MOSFET中处于较优水平。低Rds(on)意味着在导通状态下产生的I2R损耗较小，有助于提高电源转换效率并减少散热需求。对于长时间运行的设备而言，这一点尤为重要，因为它直接影响到整机的能效等级和温升表现。
　　此外，10N30-HC具有良好的热稳定性和较高的最大功耗（150W），配合适当的散热片使用，可在较高环境温度下持续工作。其TO-220或TO-247封装具备优良的热传导路径，便于将芯片产生的热量迅速传递至外部散热装置，避免因过热导致性能下降或损坏。
　　该MOSFET还拥有较快的开关速度，得益于其相对较低的输入和输出电容（Ciss和Coss），在高频开关应用中能够实现更短的开关过渡时间，从而减小开关损耗。这对于提升DC-DC变换器或逆变器的工作频率、缩小磁性元件体积具有重要意义。
　　最后，10N30-HC的栅极驱动要求适中，标准逻辑电平（如10V驱动电压）即可实现充分导通，兼容大多数PWM控制器的输出能力。同时，其阈值电压范围（2.0V~4.0V）确保了在启动阶段不会误触发，提升了系统的启动可靠性和抗干扰能力。

10N30-HC主要应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）功率转换场景。在离线式反激变换器中，该MOSFET常被用作主开关管，连接在变压器初级侧，通过高频斩波实现能量传递与电压变换。其300V的耐压能力足以应对整流后的市电峰值电压（约310V DC），并在轻载与满载条件下保持稳定工作。
　　在通用开关电源模块中，无论是适配器、充电器还是工业电源单元，10N30-HC都能胜任核心开关元件的角色。凭借其低导通电阻和良好热性能，可以在保证效率的同时简化散热设计，降低整体成本。
　　此外，该器件也广泛用于逆变器电路，例如太阳能微逆变器或不间断电源（UPS）中的DC-AC转换环节。在此类应用中，MOSFET需频繁进行高速开关操作，而10N30-HC的快速响应能力和较高的电流承载能力使其成为理想选择。
　　在电机驱动领域，特别是小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，10N30-HC可用于构建高端或低端开关支路，实现对电机启停、方向和速度的精确控制。虽然其并非专为同步整流优化，但在某些低成本方案中仍可满足基本需求。
　　其他应用还包括电子镇流器、LED恒流驱动电源、电焊机电源模块以及各种工业自动化设备中的功率控制单元。由于其具备较强的环境适应性和长期运行稳定性，10N30-HC在恶劣工业环境中也能保持良好性能。

STP10NK30ZFP, FQP10N30, IRFBC30, KSE10N30