时间：2025/8/7 5:58:52
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T7H8127504DN是一款由东芝（Toshiba）公司生产的电子元器件芯片，属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这类器件广泛用于电源管理和高频率开关应用中。T7H8127504DN具有高性能和高可靠性的特点，适用于各种需要高效能功率转换的电子系统。它采用先进的封装技术，提供良好的散热性能和电气性能。
类型：功率MOSFET
漏极电流（ID）：120A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.5mΩ（最大值为9.5mΩ）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：200W
T7H8127504DN是一款N沟道功率MOSFET，专为高电流和高频率开关应用而设计。其主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优良的热性能。低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下器件的损耗最小化，从而提高了整体系统的效率。该器件的最大漏极电流可达120A，适用于高功率需求的应用。此外，T7H8127504DN的工作温度范围较宽，从-55°C到175°C，能够在极端环境下稳定工作。其TO-247封装提供了良好的散热能力，有助于维持器件的长期可靠性。该MOSFET还具有快速开关特性，适合用于高频开关电路，减少开关损耗并提高系统效率。T7H8127504DN的栅极驱动电压范围为±20V，使其能够与多种驱动电路兼容。此外，该器件的高耐用性和稳定性使其在汽车电子、工业电源、电池管理系统和DC-DC转换器等应用中表现出色。
T7H8127504DN主要用于需要高功率密度和高效率的电子系统中。常见的应用包括电动汽车的电源管理系统、工业电机驱动器、高功率DC-DC转换器、电池管理系统以及高频开关电源。此外，该器件也适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等需要高可靠性和高效能功率转换的场合。其高电流承载能力和低导通电阻特性使其成为高负载条件下理想的开关元件。
TK8A60W,TTPF8906,TTPF8906K,TTPF8906KM3
