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GA1210Y153KBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 15:28:51 查看 阅读:13

GA1210Y153KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该芯片适用于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子设备中,其封装形式和电气特性使其在紧凑型设计中表现尤为突出。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  反向恢复时间:9ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

GA1210Y153KBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合,同时减少开关损耗。
  3. 采用DPAK封装,具备良好的散热性能,支持高功率密度设计。
  4. 支持宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 出色的雪崩耐量和抗静电能力,增强了产品的耐用性和可靠性。

应用

这款芯片广泛应用于各种功率电子领域,具体应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  5. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  由于其低导通电阻和高速开关能力,GA1210Y153KBAAT31G 在提升能效和减小体积方面表现出色,非常适合现代化电力电子设计。

替代型号

IRFZ44N
  STP160N10
  FDP180N10S
  IXYS16N10P4

GA1210Y153KBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-