类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000 V
　　最大漏极电流（ID）：10 A
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值约0.75 Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　最大功耗（Ptot）：150 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-220或TO-247（依制造商而定）
　　栅极电荷（Qg）：约50 nC（典型值）
　　输出电容（Coss）：约30 pF
　　上升时间（tr）：约50 ns
　　下降时间（tf）：约30 ns

10N100-FC2作为一款高耐压N沟道MOSFET，具备出色的电气性能和稳定性，尤其适用于需要高电压隔离与高效能转换的电力电子系统。其最显著的特性之一是1000V的漏源击穿电压，这使得它能够在高压直流母线环境中可靠工作，例如在反激式或正激式开关电源中作为主开关器件。这种高耐压能力不仅提高了系统的安全性，也减少了因电压波动导致的器件失效风险。
　　该器件采用了优化的硅基工艺，实现了相对较低的导通电阻RDS(on)，从而降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高整体电源效率并减少散热需求。同时，良好的热阻特性确保了即使在持续大电流负载下也能维持稳定的性能表现。此外，10N100-FC2具有较快的开关速度，得益于较小的栅极电荷Qg和输出电容Coss，能够支持数百kHz级别的高频开关操作，适用于现代高频率、小型化电源设计。
　　器件还具备较强的抗雪崩能力和抗短路脉冲能力，可在异常工况下提供一定程度的自我保护。其栅极氧化层经过强化处理，可承受±30V的栅源电压应力，提升了对驱动电路误操作或噪声干扰的容忍度。温度系数设计合理，使得多个器件并联使用时电流分配更加均匀，有利于构建更高功率等级的拓扑结构。
　　此外，10N100-FC2通常采用标准通孔封装（如TO-220或TO-247），便于安装于散热片上，实现有效热管理。引脚兼容性强，易于替换同类产品，并支持自动化装配流程。综合来看，这款MOSFET在可靠性、效率与成本之间取得了良好平衡，是中高功率电源应用中的优选器件之一。

10N100-FC2广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在需要高电压隔离和高效能量转换的场合。其典型应用场景包括工业级AC-DC适配器、离线式反激变换器、LED恒流驱动电源以及光伏逆变器的辅助电源模块。在这些系统中，该MOSFET常作为初级侧开关元件，负责将整流后的高压直流电进行斩波控制，通过变压器耦合实现电压变换与能量传输。
　　在LED照明驱动领域，特别是大功率户外照明或商业照明系统中，10N100-FC2可用于构建非隔离或隔离型降压/升压拓扑，提供稳定高效的恒流输出。其高耐压特性允许直接接入全范围交流电网（90–265VAC），无需额外的前置稳压电路，简化了系统设计。
　　在太阳能微逆变器或储能系统中，该器件可用于DC-DC升压或高频逆变前级，处理来自光伏板的不稳定直流输入，并将其转换为适合后续逆变处理的高压直流总线。此外，在不间断电源（UPS）、通信电源、电动工具充电器等设备中，10N100-FC2也被用作关键的功率开关元件，承担能量传递与系统效率调控任务。
　　由于其良好的高温工作能力与长期稳定性，该器件同样适用于工业控制、电机驱动辅助电源及高压仪表电源模块等严苛环境下的应用。总之，凡是涉及1000V以内高压开关动作且要求高效率、高可靠性的电力电子装置，10N100-FC2均是一个值得考虑的核心元器件选择。

STP10NK100ZFP
　　IRFPG50
　　FQP10N100