类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）：75 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：280 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻 Rds(on)：6 mΩ @ Vgs = 10 V
　　导通电阻 Rds(on)：8 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　阈值电压（Vth）：2.1 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：3400 pF @ Vds = 50 V
　　输出电容（Coss）：920 pF @ Vds = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　最大功耗（Pd）：250 W
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L

104M06QC22 采用 Vishay 领先的 TrenchFET 技术，这种技术通过在硅基底上构建垂直沟道结构，大幅提升了单位面积下的载流能力，从而实现极低的导通电阻。其典型 Rds(on) 仅为 6 mΩ，在同类 100V N 沟道 MOSFET 中处于领先水平，有助于降低传导损耗，提高系统整体效率。该器件在 Vgs = 10V 和 Vgs = 4.5V 下均提供明确的导通电阻规格，表明其在标准驱动电压和低电压逻辑驱动条件下均能稳定工作，适用于宽范围的栅极驱动电路设计。
　　该 MOSFET 具备优异的开关特性，输入电容和输出电容经过优化，减少了开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用，如同步降压转换器和多相 VRM 设计。其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）进一步降低了驱动损耗，提高了电源系统的动态响应能力。此外，该器件的反向恢复时间较短，约为 28ns，有助于减少体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰，提升系统可靠性。
　　在热性能方面，104M06QC22 采用 PowerPAK SO-8L 封装，该封装具有优异的散热性能，底部带有裸露焊盘，可直接连接至 PCB 散热区域，有效降低热阻，提升功率处理能力。其最大功耗可达 250W，结温范围宽达 -55°C 至 +175°C，确保器件在高温工业环境或高负载条件下仍能稳定运行。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，具备良好的抗雪崩能力和长期稳定性，适用于汽车电子、工业控制和通信电源等严苛应用场合。

104M06QC22 广泛应用于需要高效功率开关的电子系统中。典型应用包括同步整流型 DC-DC 降压转换器，尤其是在服务器、笔记本电脑和图形处理器的电压调节模块（VRM）中，用于实现高电流、低电压供电。其低导通电阻和快速开关特性也使其成为电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机电源模块的理想选择。
　　在工业领域，该器件可用于电机驱动电路中的 H 桥拓扑，作为上下桥臂开关元件，提供高效的能量传输和精确的速度控制。此外，在太阳能逆变器和 UPS 不间断电源系统中，104M06QC22 可用于直流母线开关或辅助电源电路，提升系统转换效率并降低温升。
　　由于其符合汽车级可靠性标准，该 MOSFET 也可用于车载应用，如车载充电机（OBC）、DC-DC 转换器和车载照明系统。其小型化封装有助于节省 PCB 空间，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。同时，该器件支持自动贴片生产，适用于大规模自动化装配流程，提升制造效率和产品一致性。