时间：2025/11/6 2:02:01
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0805N180F251CT是一款由KEMET公司生产的表面贴装多层陶瓷电容器（MLCC），采用标准的0805封装尺寸（即2.0mm x 1.25mm），适用于高密度印刷电路板设计。该器件属于C0G（NP0）电介质系列，具有极高的温度稳定性和电气稳定性，是精密模拟电路和高频应用中的理想选择。C0G材料确保了电容器在整个工作温度范围内的电容值几乎不随温度变化，典型温度系数为±30ppm/°C，保证了长期可靠性和性能一致性。该型号额定电压为25VDC，标称电容为18pF，公差为±1%（代号F），适合对精度要求较高的射频（RF）、振荡器、滤波器和定时电路等应用场景。此外，0805N180F251CT符合RoHS环保标准，并具备良好的抗湿性和可焊性，适合自动化SMT贴片工艺。其结构采用镍阻挡层端接（Ni-barrier termination），有效防止银离子迁移，提高在恶劣环境下的可靠性。作为工业级器件，它广泛应用于通信设备、医疗电子、测试仪器及航空航天等领域，尤其在需要低损耗、高Q值和频率稳定性的场合表现优异。
尺寸代码：0805 (EIA)
电容值：18pF
容差：±1% (F)
额定电压：25VDC
电介质类型：C0G (NP0)
温度系数：0±30ppm/°C
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
绝缘电阻：≥10,000MΩ 或 RC ≥ 500s（取较小值）
耐压能力：试验电压为额定电压的1.5倍
ESR（等效串联电阻）：极低，典型值小于0.05Ω
DF（耗散因子）：≤0.15%
寿命稳定性：电容变化不超过±0.5% over 1000 hours at rated voltage and 125°C
0805N180F251CT所采用的C0G（NP0）电介质材料是一种稳定的顺电陶瓷材料，通常以钛酸镁或钛酸钙为基础，具有近乎线性的温度响应特性，确保电容值在-55°C至+125°C的整个工作温度范围内保持高度稳定，变化幅度不超过±30ppm/°C，远优于X7R、Y5V等其他类别介质。这种卓越的温度稳定性使其成为高频谐振电路、LC滤波器、匹配网络和精密振荡器中的首选元件。由于其极低的介电损耗（DF ≤ 0.15%）和高Q值，该电容器能有效减少信号衰减和相位噪声，提升系统整体性能。
该器件具有出色的频率响应能力，在高达数百MHz甚至GHz级别的频率下仍能维持稳定的电容特性，不会出现明显的容量下降或自谐振现象提前的问题。这对于射频前端模块、天线调谐电路以及高速数字系统的去耦应用至关重要。同时，其低等效串联电阻（ESR）有助于降低热损耗，提高能量传输效率，避免因发热导致的参数漂移或失效风险。
机械结构方面，0805N180F251CT采用镍阻挡层端子设计，外层镀锡处理，不仅增强了焊接可靠性，还有效抑制了银离子迁移问题，提高了在高温高湿环境下的长期稳定性。相比传统的纯银端接产品，这种构造显著提升了抗腐蚀能力和使用寿命，特别适合用于严苛工业与汽车电子环境中。此外，该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高，表明其具备车规级可靠性水平。
制造过程中，KEMET采用先进的叠层共烧技术，确保每一层介质和内电极均匀致密，从而实现一致的电气性能和高良率。每批产品都经过严格的筛选和测试，包括耐压测试、绝缘电阻测量、容量分选和温度循环试验，以确保出厂品质符合国际标准。
0805N180F251CT因其卓越的电气稳定性和高频性能，被广泛应用于对精度和可靠性要求极高的电子系统中。在射频（RF）电路领域，常用于LC谐振回路、阻抗匹配网络、带通滤波器和天线调谐单元，特别是在无线通信模块如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee、蜂窝模组中发挥关键作用。其稳定的电容值可确保发射频率不发生漂移，提升通信质量与连接稳定性。
在时钟和振荡器电路中，该电容器常与石英晶体或SAW器件配合使用，作为负载电容精确控制振荡频率，广泛应用于微控制器（MCU）、FPGA、DSP等数字处理器的时钟生成电路中，保障系统运行的同步性和准确性。
此外，在高性能模拟前端（AFE）、ADC/DAC参考电路、有源滤波器和传感器信号调理电路中，0805N180F251CT凭借其低噪声、低失真特性，能够有效抑制干扰并维持信号完整性，适用于医疗设备、测试测量仪器、音频处理设备等精密电子设备。
在电源去耦方面，尽管其容量较小，但在高频去耦场景下表现出色，可用于高速数字IC的局部退耦，滤除高频噪声，防止电源波动影响敏感模拟电路部分。其小型化封装也便于在空间受限的设计中布局布线，满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。
GRM21BR71H180KA01L
