制造商：Vishay Siliconix
　　产品系列：TrenchFET
　　晶体管类型：N 沟道
　　漏源电压（VDS）：20 V
　　栅源电压（VGS）：±12 V
　　连续漏极电流（ID）：6.8 A @ 70°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：27 A
　　导通电阻 RDS(on)：8 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　导通电阻 RDS(on)：6.8 mΩ @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：0.8 V ~ 1.2 V
　　输入电容（Ciss）：520 pF @ VDS = 10 V
　　输出电容（Crss）：100 pF @ VDS = 10 V
　　反向恢复时间（trr）：9 ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：SQFN-8 (1.6x1.6)

VRNR256ET008ACEBT1 采用 Vishay 的先进沟道场效应晶体管（TrenchFET）技术，这种技术通过优化硅片内部的沟道结构，显著降低了导通电阻 RDS(on)，同时提升了单位面积下的电流承载能力。其典型 RDS(on) 在 VGS = 4.5 V 时仅为 8 mΩ，在更高栅极驱动电压如 10 V 下可进一步降低至 6.8 mΩ，这使得该器件在低电压、大电流的应用中表现出色，有效减少了功率损耗和发热。此外，该 MOSFET 具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于提高开关速度并降低驱动电路的功耗，特别适用于高频开关电源和同步整流拓扑。
　　该器件的阈值电压范围为 0.8 V 至 1.2 V，支持逻辑电平驱动，能够与常见的 3.3 V 或 5 V 控制信号兼容，无需额外的电平转换电路即可直接由微控制器或 PWM 控制器驱动。这一特性使其非常适合用于便携式设备中的负载开关或电源路径管理。同时，其反向恢复时间 trr 仅为 9 ns，体二极管具有较快的恢复特性，减少了在桥式电路或续流应用中的能量损耗和电磁干扰问题。
　　SQFN-8 封装不仅体积小巧（1.6 mm × 1.6 mm），还具备优异的热传导性能，底部带有散热焊盘，可通过 PCB 上的热过孔将热量迅速导出，提升整体散热效率。该器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，器件符合 RoHS 标准，无铅且绿色环保，满足现代电子产品对环保法规的要求。

VRNR256ET008ACEBT1 广泛应用于对空间和能效要求较高的电子系统中。它常被用作便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断，以实现节能和延长电池续航时间。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流拓扑，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提升转换效率，尤其是在低压大电流输出的 buck 变换器中表现突出。此外，该 MOSFET 也适用于电机驱动电路，作为 H 桥或半桥结构中的开关元件，控制小型直流电机或步进电机的正反转和启停。
　　在电源管理系统中，该器件可用于 ORing 控制器、热插拔电路或多路电源选择开关，确保系统在多电源输入环境下安全切换而不产生倒灌电流。由于其具备良好的瞬态响应能力和低寄生参数，也可用于 LED 驱动电路中的高速开关控制，实现精准调光。在通信设备和网络模块中，该器件可用于隔离不同电压域之间的信号通路或电源路径，防止干扰和短路风险。此外，得益于其高可靠性和小型化设计，该器件也被广泛应用于工业传感器、医疗电子设备以及无人机等新兴领域中的电源管理单元。

SiR346DP-T1-GE3,SiR346DP,SiR346DP-T1-E3