类型：SRAM
　　容量：256Kbit（32K x 8）
　　电源电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：10ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行（地址/数据总线）
　　功耗：典型值 100mA（待机模式下电流低至10mA）
　　读写模式：异步
　　数据保持电压：最小 2V
　　时钟频率：无时钟，异步操作
　　引脚数：52
　　存储结构：32K x 8

CXK58257BP-10LL是一款高性能异步SRAM，具有10ns的访问时间，适用于高速缓存或数据缓冲应用。该器件采用CMOS技术，具有低功耗的特点，在待机模式下电流消耗极低，适用于需要节能设计的嵌入式系统和工业设备。其供电电压支持3.3V或5V，增强了与不同系统设计的兼容性。该芯片的异步接口允许直接连接到微控制器或FPGA，无需额外的时钟同步电路，简化了系统集成。此外，CXK58257BP-10LL具有宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业环境中的稳定运行。TSOP封装形式减小了PCB空间占用，提高了可靠性，适用于便携式设备、网络设备和自动化控制系统。
　　CXK58257BP-10LL的异步SRAM架构允许地址和数据线独立控制，通过片选（CE）和输出使能（OE）信号实现快速的数据读写。该芯片在数据保持模式下仅需最低2V的供电电压，确保在电源不稳定或低功耗状态下仍能保留存储数据。其并行接口支持标准的32K x 8寻址方式，提供灵活的内存扩展能力。

该芯片广泛应用于需要高速数据存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、FPGA配置缓存、网络交换设备以及测试测量仪器中。其低功耗、高速访问和宽温范围特性，使其适用于户外设备、车载系统和自动化控制设备。

CY62148EDEI-45ZE、IS62C256ALBLL-45N、AS6C62256-55SIN、IDT71V416SAG8A、ISSI IS61LV256ALBLL-10B