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070VK01 发布时间 时间:2025/8/28 5:39:45 查看 阅读:4

070VK01 是 Vishay 公司生产的一款功率 MOSFET 晶体管,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于电源转换、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统等需要高效、高速开关的场合。070VK01 的设计使其能够承受较高的电流和电压,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,从而降低了导通损耗和开关损耗。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(Id):160A
  漏极-源极电压(Vds):75V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
  封装类型:TO-263(D2PAK)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

070VK01 的一大特点是其极低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流工作时功率损耗显著降低,从而提高了系统的整体效率。其 TO-263 封装形式具备良好的散热性能,适用于高功率密度的设计。此外,该器件具有快速的开关特性,使其适用于高频开关应用。该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量承受能力,能够在突发高电压情况下保持稳定运行。Vishay 在该器件的设计中采用了先进的沟槽技术,提升了器件的可靠性和稳定性。此外,该器件具备较高的抗干扰能力,适合在电磁环境较复杂的工业和汽车电子系统中使用。由于其宽泛的工作温度范围,070VK01 适用于高温环境下的应用,例如汽车动力系统和工业电源。

应用

070VK01 常用于各种功率电子系统中,例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电系统、UPS(不间断电源)、光伏逆变器以及各种工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻,该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。此外,在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中,该 MOSFET 可用于主电池开关、电机控制器和车载充电器等关键模块。在服务器电源和通信设备中,070VK01 也被广泛采用以提升能源效率和系统稳定性。

替代型号

Si7461DP, IRF1404, STP150N7F7, IXFN160N75T

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