时间：2025/11/12 14:34:53
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CL21A475KAFNNNE是三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于X7R电介质类型，具有较高的体积效率和稳定的电气性能，广泛应用于各类消费电子、工业控制及通信设备中。CL21系列采用标准的0805（2012公制）封装尺寸，适合表面贴装技术（SMT），具备良好的焊接可靠性和机械强度。本型号的标称电容值为4.7μF（即475表示4.7×10^5 pF），额定电压为10V DC，电容容差为±10%（K级）。由于采用了镍阻挡层电极结构（Ni-barrier electrode），该电容器具有较强的抗硫化能力，在恶劣环境条件下仍能保持稳定工作，适用于高可靠性要求的应用场景。
CL21A475KAFNNNE符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q200等可靠性认证，可用于汽车电子系统。其低等效串联电阻（ESR）和优良的频率响应特性使其在电源去耦、滤波电路以及DC-DC转换器输出端滤波中表现优异。此外，该产品在制造过程中采用无铅回流焊工艺兼容设计，适应现代电子装配流程。需要注意的是，陶瓷电容器的电容值会随外加直流偏压变化而发生显著下降，因此在实际应用中应参考制造商提供的直流偏压特性曲线进行选型评估，以确保在工作电压下仍能满足系统对电容的需求。
电容值：4.7μF
容差：±10%
额定电压：10V DC
电介质类型：X7R
温度特性：±15% (-55°C 至 +125°C)
封装尺寸：0805 (2.0mm × 1.25mm)
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
电极结构：Ni-barrier (抗硫化)
安装方式：表面贴装(SMT)
符合标准：RoHS, AEC-Q200
老化率：≤2.5% / decade hour at 25°C
CL21A475KAFNNNE具备优异的温度稳定性与长期可靠性，其X7R电介质材料保证了在-55°C至+125°C宽温度范围内电容变化率不超过±15%，适用于环境温度波动较大的应用场景。该电容器采用先进的叠层陶瓷工艺，实现了小尺寸下大容量的设计目标，在有限的PCB空间内提供高效的储能和滤波能力。其内部电极使用铜或镍作为导电材料，并通过特殊的烧结工艺增强层间结合力，提升了抗热冲击和机械应力的能力，有效防止因温度循环或振动导致的裂纹失效。
该器件具有出色的抗直流偏压性能，尽管所有高介电常数陶瓷电容都会随着施加电压增加而出现电容衰减，但CL21A475KAFNNNE通过优化介质配方和电极设计，在10V工作电压下仍可维持相对较高的有效电容值，典型值可达标称值的60%以上。这一特性使其在低压电源轨去耦应用中表现优于同类产品。此外，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）有助于提高高频滤波效率，减少噪声干扰，特别适用于开关电源输出端的平滑滤波。
CL21A475KAFNNNE还具备良好的抗湿性和耐焊接热性能，经过严格的湿度敏感等级（MSL1）测试，可在高温高湿环境中长期稳定运行。其表面绝缘电阻高，漏电流小，保障了电路的安全性和能效。产品在出厂前经过100%的电气测试和外观检测，确保批次一致性。同时，该型号支持自动贴片机高速贴装，提升了生产效率和良品率，是现代高密度电子组装的理想选择之一。
CL21A475KAFNNNE广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要小型化、高可靠性和良好温度稳定性的场合。常见应用包括移动通信设备如智能手机和平板电脑中的电源管理单元（PMU）去耦电容，用于稳定处理器、射频模块和传感器供电电压。在便携式消费类电子产品中，该电容器常用于DC-DC降压或升压转换器的输入/输出滤波电路，以抑制电压纹波和电磁干扰，提升电源质量。
在工业控制系统中，CL21A475KAFNNNE被用作PLC控制器、数据采集模块和接口电路的旁路电容，确保数字逻辑电路的稳定运行。由于其通过AEC-Q200认证，也广泛应用于汽车电子领域，例如车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块、车身控制模块（BCM）以及电池管理系统（BMS）中的信号耦合与电源滤波。此外，在医疗电子设备、智能家居控制器和物联网终端中，该器件因其高可靠性和长寿命而受到青睐。
在设计时需注意避免机械应力集中，建议PCB布局时远离弯曲区域，并采用适当的焊盘设计以减少热循环引起的开裂风险。对于高压或高温环境应用，建议进行充分的偏压与温度联合应力测试，以验证实际工况下的电容保持率。总体而言，CL21A475KAFNNNE是一款综合性能优良的通用型大容量陶瓷电容，适用于多领域的去耦、滤波和储能需求。
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"GRM21BR71A475KA01L",
"C0805X7R1A475K050BC",
"CL21A475KBPNNNC",
"EMK212BJ475KG-T"
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