类型：双肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极
　　封装：SOT-23-3
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向电流（IF）：300mA（连续）
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 10mA，600mV @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 25°C，30V
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约350°C/W
　　引脚数：3
　　环保标准：符合RoHS，无卤素，无铅（LF）

06FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 的核心优势在于其采用肖特基势垒结构，实现了极低的正向导通压降，通常在450mV左右（@10mA），显著低于传统PN结二极管的0.7V压降。这种低VF特性能够有效减少功率损耗，提高系统整体能效，特别适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。同时，由于其金属-半导体结的物理机制，该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）仅为5纳秒左右，几乎不存在电荷存储效应，从而在高频开关应用中可大幅降低开关损耗并抑制电压振铃现象。
　　该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，并以共阴极方式连接，这种结构常用于双路输出整流、输入反接保护、OR-ing电路或双通道信号钳位等场合。例如，在双电源冗余系统中，可用于防止电流倒灌；在USB或通信接口中，可用于双向静电放电（ESD）保护与电压钳位。此外，共阴极结构也便于简化PCB布线，减少外部元件数量，提升系统可靠性。
　　SOT-23-3封装具有体积小、重量轻、散热性能良好等特点，适合高密度贴装。该封装经过优化，具备良好的焊接可靠性和热循环耐久性，支持回流焊和波峰焊工艺。器件的无铅（LF）和锡电镀（SN）设计不仅符合现代环保法规要求，还提高了焊点的润湿性和长期稳定性，避免了“黑焊盘”等问题，确保在严苛环境下的长期运行可靠性。
　　工作温度范围宽达-55°C至+125°C，使其可在工业级和汽车级环境中稳定工作。尽管额定电流为300mA，但其瞬态承受能力较强，可短时承受500mA的脉冲电流，适用于突发负载或启动浪涌场景。总体而言，该器件在效率、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中小功率应用中的理想选择。

该器件广泛应用于各类需要高效整流、信号保护和电源管理的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等，用于电池充放电管理电路中的防反接保护和路径控制。在USB接口电路中，常被用作数据线或电源线的ESD防护和电压钳位，防止静电或过压损坏主控芯片。
　　在DC-DC转换器中，特别是升压（Boost）或反激式拓扑中，作为同步整流的替代方案或辅助整流元件，利用其低VF特性提升转换效率。也可用于LED驱动电路中的电流隔离，防止反向电流导致LED失效。在传感器模块和微控制器单元（MCU）外围电路中，常用于电源去耦、信号整形和电平箝位，确保信号完整性。
　　通信设备如路由器、交换机中的电源轨保护，工业控制系统的I/O接口隔离，以及汽车电子中的低功率电源模块，也是其典型应用领域。此外，在电池管理系统（BMS）或多电源切换系统中，其共阴极结构可用于构建简单的“或门”电源选择电路，实现主备电源无缝切换。

BAS40-04W, PMEG3030CPA, MBRS340T1G, SMS7621, RB520S30, BAT54C