CR7N65FA9K 是一款高压、高效率的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要用于开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高性能开关的应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而能够有效降低功率损耗并提高整体效率。
CR7N65FA9K 的耐压能力高达 650V,非常适合在高电压环境下工作。此外,它还具备良好的热性能和可靠性,能够在严苛的工作条件下保持稳定的性能。
额定电压:650V
额定电流:9A
导通电阻:0.8Ω
栅极电荷:25nC
输入电容:1200pF
最大功耗:20W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 高耐压能力(650V)使其适用于各种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(0.8Ω)可显著减少传导损耗。
3. 快速开关特性(栅极电荷仅 25nC)有助于提高工作效率。
4. 输入电容为 1200pF,适合高频开关应用。
5. 工作温度范围宽(-55℃ 至 +150℃),适应各种极端环境条件。
6. 具备出色的可靠性和耐用性,适合长期使用。
CR7N65FA9K 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池充电器和逆变器中的高效开关元件。
5. 各种工业控制和消费类电子设备中的高压开关应用。
CR7N65FA8K, CR7N65FA10K, IRF650N