时间：2025/12/27 16:00:07
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02NR-E4K(LF)是一款由ROHM Semiconductor生产的通用N沟道MOSFET，广泛应用于各种电源管理与开关控制电路中。该器件采用小型表面贴装封装（通常为SOT-23或类似尺寸），适合在空间受限的高密度印刷电路板设计中使用。02NR-E4K(LF)中的'LF'表示该产品符合无铅（Lead-Free）环保标准，适用于符合RoHS指令的电子产品制造。该MOSFET具有低导通电阻、快速开关响应和良好的热稳定性，使其在电池供电设备、便携式电子设备以及DC-DC转换器等应用中表现出色。其设计优化了栅极电荷和输出电容，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备良好的抗静电能力（ESD保护）和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业、消费类及通信类电子产品。
型号：02NR-E4K(LF)
制造商：ROHM Semiconductor
封装类型：SOT-23
晶体管极性：N-Channel
漏源电压Vds：30V
栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：3.4A
脉冲漏极电流Idm：10A
导通电阻Rds(on)：45mΩ @ Vgs=10V
导通电阻Rds(on)：60mΩ @ Vgs=4.5V
阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.0V
输入电容Ciss：470pF @ Vds=15V
输出电容Coss：190pF @ Vds=15V
反向传输电容Crss：45pF @ Vds=15V
栅极电荷Qg：8.5nC @ Vds=15V
功耗Pd：200mW
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
安装类型：表面贴装
02NR-E4K(LF)具备多项优异的电气与物理特性，使其成为众多低功率开关应用的理想选择。首先，其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其是在大电流条件下，有助于提升系统能效并减少散热需求。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为45mO，而在常见的逻辑电平驱动条件（如Vgs=4.5V）下，Rds(on)也仅为60mO，这使得该MOSFET能够兼容3.3V或5V的微控制器直接驱动，无需额外的电平转换或驱动电路。
其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg=8.5nC）和输入电容（Ciss=470pF），意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而加快了开关速度，减少了开关延迟和上升/下降时间。这一特性对于高频开关应用（如DC-DC转换器、同步整流等）至关重要，能够有效降低动态损耗，提高电源转换效率。
此外，02NR-E4K(LF)拥有良好的热稳定性和较高的最大结温（+150°C），确保了在高温环境下的长期可靠运行。其SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能，便于通过PCB敷铜进行散热。器件的阈值电压范围（1.0V~2.0V）适中，避免了因过低Vgs(th)导致的误触发问题，同时保证了在低电压条件下也能可靠开启。
最后，该MOSFET具备一定的雪崩耐量和抗静电能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。其无铅环保设计也符合现代电子产品对绿色制造的要求，适用于消费类电子、工业控制、物联网设备等多种场景。
02NR-E4K(LF)广泛应用于多种低电压、中等电流的开关与电源管理场合。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制电池对不同模块（如显示屏、传感器、无线模块）的供电，实现节能与电源隔离。在DC-DC转换器中，该MOSFET常被用作同步整流器或主开关管，尤其适用于升压（Boost）、降压（Buck）或降压-升压（Buck-Boost）拓扑结构，因其低Rds(on)和快速开关特性可显著提升转换效率。
此外，该器件适用于电机驱动电路中的H桥或单路驱动，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向。在LED驱动电路中，02NR-E4K(LF)可用于PWM调光控制，实现精确的亮度调节。其小封装特性也使其成为智能手机、平板电脑、可穿戴设备等高密度电子产品中的理想选择。
在信号切换与多路复用应用中，该MOSFET可作为模拟开关使用，替代机械继电器或专用模拟开关IC，降低成本并提高可靠性。工业自动化系统中的传感器接口、I/O扩展模块、电源热插拔控制等也是其常见应用场景。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件同样适用于汽车电子中的非动力总成系统，如车身控制模块、车内照明控制等。
2N7002K,RJK03B5DPB,SZ2N7002AKT1G,DMG2305U
