类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：7A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值1.2Ω
　　功率耗散(Pd)：80W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C

FMI07N90E具备多项优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压特性（900V Vds）使其适用于高电压应用环境，例如工业电源和高压DC-DC转换器。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，FMI07N90E的封装设计优化了散热性能，能够有效地将热量传导至散热片，从而确保在高负载条件下的稳定运行。
　　在动态性能方面，FMI07N90E具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，同时具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），减少了开关过程中的能量损耗。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定，提高了系统的可靠性和安全性。
　　另外，FMI07N90E的栅极驱动要求相对较低，可在较宽的栅极电压范围内实现稳定导通，适用于多种栅极驱动电路设计。该器件的热阻（Rth）较低，能够在较高环境温度下保持良好的散热能力，延长使用寿命。

FMI07N90E广泛应用于各类高电压、中功率的电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，FMI07N90E可用于PFC（功率因数校正）电路或主开关拓扑结构，提高电源效率并减小系统体积。在DC-DC转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，适用于隔离式或非隔离式拓扑结构。此外，在电机控制和驱动器系统中，FMI07N90E可用于实现高效的PWM控制，适用于工业自动化设备和伺服驱动器。
　　该器件也常见于不间断电源（UPS）系统、LED驱动器、电池充电器以及新能源设备（如太阳能逆变器）中。由于其高可靠性和良好的热管理能力，FMI07N90E也适用于恶劣环境下的工业控制系统和智能电网设备。

FQA7N90C, 2SK2545, FCH07N90A, IRF840