时间：2025/7/12 5:55:06
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SH31N680J102CT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，能够在高频条件下实现高效的能量转换。
其封装形式为 TO-252，能够提供良好的散热性能，并且易于集成到各种电路设计中。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：42A
导通电阻：2.8mΩ
总功耗：100W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
SH31N680J102CT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（2.8mΩ），可有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境，减少开关损耗。
3. 高击穿电压（60V），确保在较高电压条件下运行的安全性和稳定性。
4. 小型化的 TO-252 封装，节省 PCB 空间的同时保持优异的散热能力。
5. 支持大电流（42A 连续漏极电流），适用于高功率应用场景。
6. 宽泛的工作温度范围（-55℃ to 150℃），适应多种极端环境下的使用需求。
SH31N680J102CT 的典型应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的功率调节模块。
5. 汽车电子系统的功率管理单元。
6. 各类需要高效能量转换和大电流承载能力的电路设计。
IRFZ44N
FDP5800
AON7923
