型号：02NM60
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：2.0 A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：8.0 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　阈值电压（Vth）：典型值3.0 V，范围2.0~4.0 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值2.0 Ω @ Vgs = 10 V
　　最大Rds(on)：2.2 Ω @ Vgs = 10 V
　　最大功耗（Ptot）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　输入电容（Ciss）：典型值30 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：典型值15 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值35 ns
　　封装类型：TO-220 / TO-220FP

02NM60的核心特性源于其采用的超级结（Super Junction）结构技术，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域实现更高的掺杂浓度，在不牺牲击穿电压的前提下显著降低导通电阻Rds(on)，从而有效减少导通状态下的功率损耗。这一特性使其在600V等级的MOSFET中具有优异的性能表现，特别适用于追求高能效的电源设计。
　　该器件具备较低的总栅极电荷（Qg），这直接减少了驱动电路所需的驱动能量，使得控制器可以以更低的功耗驱动MOSFET，同时允许更高的开关频率操作。结合较低的输出电容（Coss），02NM60在高频开关过程中表现出更小的开关损耗，有助于提升电源系统的整体效率并缩小磁性元件的尺寸，进而实现更紧凑的设计。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性与可靠性。得益于TO-220封装提供的良好热传导路径，02NM60能够在较高环境温度下持续工作。其最大结温可达150°C，并内置热关断保护机制，防止因过热导致永久性损坏。此外，该器件经过严格测试，具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压事件中吸收一定能量而不发生击穿，提高了系统在恶劣工况下的鲁棒性。
　　02NM60还优化了体二极管的反向恢复特性，减小了反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），从而降低了在桥式或同步整流拓扑中可能出现的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这对于提高系统EMI性能和减少额外缓冲电路的需求至关重要。
　　总体而言，02NM60凭借其高电压耐受能力、低导通损耗、快速开关特性和高可靠性，成为众多中等功率开关电源设计中的优选器件，尤其适合对成本、效率和可靠性有综合要求的应用场景。

02NM60广泛应用于各类需要高效、高电压开关能力的电力电子系统中。最常见的应用领域是离线式开关电源（SMPS），例如手机充电器、笔记本电脑适配器、电视电源模块等消费类电子产品电源单元，其中它作为主开关管用于反激式（Flyback）或正激式（Forward）拓扑结构中，负责将交流输入电压转换为稳定的直流输出。
　　在LED照明驱动电源中，02NM60也发挥着重要作用。现代LED灯具普遍采用恒流驱动方式，要求电源具备高效率和长寿命。02NM60凭借其低导通电阻和良好的热稳定性，能够在长时间运行中保持较低温升，确保灯具安全可靠工作，适用于室内照明、路灯及商业照明等中功率LED驱动方案。
　　此外，该器件还被用于工业控制电源、辅助电源（Auxiliary Rails）、电池充电器以及小型逆变器等设备中。在这些应用中，02NM60不仅承担能量转换功能，还需应对复杂的电网波动和负载变化，因此其高耐压能力和抗干扰特性显得尤为重要。
　　在空调、洗衣机、冰箱等白色家电的内部电源模块中，02NM60同样常见。这些家电通常配备内置的DC-DC或AC-DC转换电路，用于为微控制器、传感器和显示面板供电。02NM60的稳定性能和成熟工艺使其成为这类应用的理想选择。
　　值得一提的是，由于其具备一定的雪崩耐量和坚固的封装结构，02NM60也能在存在电压瞬变或雷击风险的环境中使用，例如户外照明或工业现场设备，进一步拓展了其应用边界。

STP2NK60ZFP
　　STP3NK60ZFP
　　FQA2N60E