025ENAH 时间：2025/8/27 22:24:30 阅读：6

025ENAH 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的设计需求。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：25V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　连续漏极电流 Id：120A（@25°C）
　　导通电阻 Rds(on)：最大 2.5mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　

特性

025ENAH 的核心优势在于其极低的导通电阻 Rds(on)，这显著降低了导通损耗并提高了系统效率。其 Rds(on) 典型值为 2.5mΩ，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，减少热量产生。此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽栅技术，优化了电场分布，提升了器件的耐压能力和开关性能。
　　该器件的封装为 PowerFLAT 5x6，具备良好的热管理能力，有助于将热量快速传导至 PCB 板，从而提升整体散热效率。这种封装形式也便于表面贴装，适合自动化生产流程。
　　025ENAH 的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，兼容常见的逻辑电平驱动器，如微控制器或 PWM 控制器。其具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而支持更高功率密度的设计。
　　在可靠性方面，025ENAH 具有较高的雪崩能量承受能力，能够在极端工况下保持稳定运行。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适合在各种恶劣环境中使用。

应用

025ENAH 适用于多种高效率功率应用，如同步整流 DC-DC 转换器、电池管理系统、电动工具、电机驱动器、负载开关和电源分配系统等。其低 Rds(on) 和高电流能力使其成为高性能电源设计的理想选择。此外，该器件也可用于服务器、通信设备和工业自动化系统中的功率管理模块，提供高效、稳定的电能转换与控制功能。