时间：2025/6/24 13:02:10
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FM21X102K251PXG 是一款高性能的铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，由富士通（现为辰美半导体）生产。FRAM 是一种非易失性存储器技术，结合了RAM的速度和闪存的非易失性特点，能够在断电后保存数据。该芯片具有高耐久性、低功耗和快速写入速度等特性，适用于需要频繁数据写入和实时数据记录的应用场景。
FM21X102K251PXG 的容量为256Kb（32K x 8），采用I2C接口进行通信，支持宽电压范围操作，并且在各种工业和消费类应用中表现出色。
容量：256Kb
组织形式：32K x 8
接口类型：I2C
工作电压：1.8V - 5.5V
工作频率：400kHz
数据保留时间：超过10年
擦写次数：10^12次
封装类型：SOIC-8
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
FM21X102K251PXG 具备以下主要特性：
1. 非易失性存储：即使在断电情况下，数据也不会丢失。
2. 快速写入：相比传统的EEPROM或闪存，FRAM提供几乎即时的数据写入能力。
3. 极高的耐用性：支持高达10^12次的擦写循环，适合需要频繁写入的应用。
4. 低功耗：写入数据时不需要额外的高功率脉冲，从而降低整体能耗。
5. 宽工作电压范围：支持从1.8V到5.5V的操作电压，增加了设计灵活性。
6. 简化系统设计：由于其高速和非易失性特点，减少了对外部组件的需求。
FM21X102K251PXG 可广泛应用于多种领域：
1. 工业自动化：用于实时数据记录和设备状态监控。
2. 消费电子：如数码相机、打印机中的配置数据存储。
3. 医疗设备：用于存储关键患者数据和设备校准信息。
4. 计量仪表：例如智能电表中的数据记录功能。
5. 物联网（IoT）设备：支持频繁数据采集和传输的应用。
6. 数据日志记录：确保在突然断电情况下数据不会丢失。
MB85RC256V, CAT24C256
