时间：2025/7/25 11:25:10
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JAN1N2829B 是一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），通常用于高功率和高频应用。该器件具有良好的导通特性和较低的开关损耗，适用于军事、航空航天以及其他对可靠性要求较高的应用领域。该MOSFET器件的结构设计允许其在高电压和大电流条件下稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：100A
导通电阻（Rds(on)）：0.035Ω
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
JAN1N2829B MOSFET具有低导通电阻的特性，这使得它在高电流应用中能够有效减少功率损耗并提高效率。其先进的硅技术确保了器件在高频开关应用中的稳定性。
此外，该器件的封装设计提供了良好的热管理和散热性能，有助于延长使用寿命并提升可靠性。其高耐压能力使其适用于需要稳定性和耐用性的严苛环境。
JAN1N2829B 还具备快速开关特性，适用于需要高频操作的电源转换器、电机驱动器和逆变器等应用。其坚固的结构和高可靠性使其成为航空航天和军事设备的首选器件之一。
JAN1N2829B 主要用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。例如，它可用于DC-DC转换器、电源模块、马达控制器、UPS系统、电池管理系统以及各种工业自动化设备。在军事和航空航天领域，该器件常用于高可靠性的电源管理系统和电力调节装置中。
SiHF1N2829B, IRF1N2829B, IXFN1N2829B
