功率场效应管(MOSFET)与双极型功率相比具有如下特点：

　　1．场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单；

　　2．输入阻抗高，可达108Ω以上；

　　3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；

　　4．有较优良的线性区，并且场效应管(MOSFET)的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作Hi-Fi音响；

　　5．功率场效应管(MOSFET)可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。

　　（1） 漏极击穿电压 BUD 是不使器件击穿 漏 漏极击穿电压 BUD 的极限参数，它大于漏极电压额定值。BUD 随结温的升高而升高，这点正好与 GTR 和 GTO 相反。

　　（2） 漏极额定电压 UD UD 是器件的标称额定值。

　　（3）  UT 漏极电流 ID 和 IDM ID 是漏极直流电流的额定参数；IDM 是漏极脉冲电流幅值。

　　（4） 栅极开启电压 UT 又称阀值电压，是开通 Power MOSFET 的栅-源电压， 它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。

　　（5） 跨导 gm gm 是表征 Power MOSFET 栅极控制能力的参数。

　　1．电池反接保护电路

　　电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工 作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有极小的管压降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON）约为0.04Ω，则在lA时约为0.04V。这时要注意在电池正确安装时，ID并非完全通过管内的二极管，而是在VGS≥5V时，N导电沟道畅通(它相当于一个极小的电阻)而大部分电流是从S流向D的(ID为负)。而当电池装反时，场效应管(MOSFET)不通，电路得以保护。

　　2．触摸调光电路

　　一种简单的触摸调光电路如图10。当手指触摸上触头时，电容经手指电阻及100k充电，VGS渐增大，灯渐亮；当触摸下触头时，电容经100k及手指电阻放电，灯渐暗到灭。

　　3．甲类功率放大电路

　　由R1、R2建立VGS静态工作点(此时有一定的ID流过)。当音频信号经过C1耦合到栅极，使产生-△VGS，则产生较大的△ID，经输出变压器阻抗匹配，使4～8Ω喇叭输出较大的声功率。图ll中Dw为9V稳压二极管，是保护G、S极以免输入过高电压而击穿。从图中也可以看出，偏置电阻的数值较大，因为栅极输入阻抗极高，并且无栅流。