IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低，开关频率高（可达20KHZ），这两点非常显着的特性，最近西门子公司又推出低饱和压降（2.2V）的NPT-IGBT性能更佳，相继东芝、富士、IR,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。

　　IGBT是先进的第三代功率模块，工作频率1-20KHZ,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即DC/AC变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎己替代一切其它功率器件，例SCR.GTO,GTR,MOSFET,双极型达林顿管等泪今功率可高达1MW的低频应用中，单个元件电压可达4.OKV（PT结构）一6.5KV（NPT结构），电流可达1.5KA,是较为理想的功率模块。

　　A,栅极与任何导电区要绝缘，以免产生静电而击穿，所以包装时将G极和E极之间要有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触，直到G极管脚进行性连接。

　　B、主电路用螺丝拧紧，控制极G要用插件，尽可能不用焊接方式。

　　C、装卸时应采用接地工作台，接地地面，接地腕带等防静电措施。

　　D、仪器测量时，将1000电阻与G极串联。

　　E、要在无电源时进行安装。

　　F,焊接G极时，电烙铁要停电并接地，选用定温电烙铁最合适。当手工焊接时，温度2601C15'C.时间（10士1）秒，松香焊剂。波峰焊接时，PCB板要预热80'C-]05'C,在245℃时浸入焊接3-4

　　IGBT发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路，减少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，简化调试工作等，都与IGBT有密切的内在联系，所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发，予估近2-3年内，会有突破性的进展。目前已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT,IGCT,电流型SGCT等。