电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图，如图1(a)所示。电气符号，如图1(b)所示。

　　电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G。当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截止。如果在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT，则管子开通，在漏、源极间流过电流ID。UGS超过UT越大，导电能力越强，漏极电流越大

　　1、静态特性；其转移特性和输出特性如图2所示。

　　漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs

　　MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

　　2、动态特性；其测试电路和开关过程波形如图3所示。

　　开通过程；开通延迟时间td(on) —up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；

　　上升时间tr— uGS从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；

　　iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。

　　开通时间ton—开通延迟时间与上升时间之和。

　　关断延迟时间td(off) —up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为零的时间段。

　　下降时间tf— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS

　　关断时间toff—关断延迟时间和下降时间之和。

　　除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：

　　(1)漏极电压UDS

　　(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM

　　(3)栅源电压UGS

　　(4)极间电容

　　1、按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

　　2、按栅极电压幅值可分为耗尽型和增强型。

　　耗尽型：当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。

　　增强型：对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。

　　功率场效应晶体管主要是N沟道增强型。

　   ●驱动电路简单，需要的驱动功率小。

　　●开关速度快，工作频率高。

　　●热稳定性优于GTR。

　　●电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。