在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

　　以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：

　　肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

　　肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率 。

　　微波整流天线结构示意图如图1所示,其中肖特基二极管整流电路在矩形波导管中的完整电路模型如图2所示,其中cj为结电容,R.为串联电阻,C为隔直电容,L为扼流电感.封装所引入寄生参数基本上是电抗 性的.此封装寄生电抗可以通过电路的电抗匹配技术及改进形式予以克服,因此在其等效模型中可以将这两 个参数忽略.虚线框内为肖特基二极管简化模型。