1947.12.23日只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、Shockley、Brattain)

　　1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley)

　　1951年制造出只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley)

　　1956年制造出只硅结型晶体管-美得洲仪器公司（TI）

　　1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖

　　1956年中国制造出只锗结型晶体管-（吉林大学高鼎三）

　　1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产

　　双极结型晶体管（BJT）种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。

　　双极结型晶体管的外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置。

　　1、发射结正偏，集电结反偏，胶放大区或正向有源区。

　　2、发射结正偏，集电结正偏，叫饱和区。

　　3、发射结反偏，集电结反偏，胶截止区。

　　4、发射结反偏，集电结正偏，胶倒置区或反向有源区。

　　一种双极结型晶体管元件，此元件的晶体管中的ｐ型井区环绕在ｎ型发射极区周围，且与发射极底部连接，用以作为一基极区。ｐ型基极拾取区与ｐ型基极连接，且环绕于发射极区周围。ｎ型深井区，其与基极区底部以及ｎ型井区的底部连接，用以作为一集电极区。ｎ型井区环绕于基极区周围，并且与ｎ型的深井区连接。ｎ型集电极拾取区连接ｎ型井区，且环绕于基极区周围。隔离结构，位于发射极区与基极区之间以及部分的基极区与部分的ｎ型井区之间。缓冲区位于部分隔离结构下方，且与部分隔离结构共同隔离开ｐ型基极区与ｎ型井区。