为了降低电击和损坏设备的风险，请在安装内存模块前拔出电源线插头，并取出所有的电池。

　　注意： 静电释放 (ESD) 会损坏电子元件。在开始执行任何操作之前，应确保已触摸了接地的金属物体而释放了自身的静电。

　　注： 在添加第二个内存模块时要使用双通道配置，应确保两个内存模块的容量相同。

　　要添加或更换内存模块，请执行以下操作：

　　1. 保存所做的工作。

　　2. 关闭笔记本计算机并合上显示屏。

　　如果您无法确定计算机是已经关闭还是处于休眠模式，请先按电源按钮打开计算机。然后通过操作

　　系统关闭笔记本计算机。

　　3. 断开所有与计算机相连的外接设备。

　　4. 将电源线插头从交流电源插座上拔下。

　　5. 翻转笔记本计算机，将其放在平整的表面上。

　　6. 从计算机中取出电池组。

　　7. 拧开硬盘驱动器盖上的 4 颗螺钉 (1)。

　　8. 提起硬盘驱动器盖，使其脱离笔记本计算机 (2)。

　　9. 如果准备更换内存模块，首先取出现有的内存模块：

　　a. 拉开内存模块两侧的固定夹 (1)。

　　内存模块向上倾斜。

　　注意： 为防止损坏内存模块，请只抓住内存模块的边缘。不要触摸内存模块上的元件。

　　b. 握住内存模块 (2) 的边缘，然后轻轻地将其从内存模块插槽中拔出。

　　将取出的内存模块放入防静电的包装中，以保护内存模块。

　　10. 要插入新的内存模块，请执行以下操作：

　　注意： 为防止损坏内存模块，请只抓住内存模块的边缘。不要触摸内存模块上的元件，也不要折

　　弯内存模块。

　　a. 将内存模块缺口边缘 (1) 对准内存模块插槽的卡舌。

　　b. 当内存模块与内存模块盒表面成 45 度角时，将内存模块 (2) 按入内存模块插槽，直到其卡入

　　就位。

　　c. 轻轻向下按内存模块 (3)，对内存模块左右两边同时用力，直到固定夹卡入到位。

　　注意： 为防止损坏内存模块，务必不要折弯内存模块。

　　11. 将硬盘驱动器盖上的卡舌 (1) 对准笔记本计算机上的相应槽口。

　　12. 合上硬盘驱动器盖 (2)。

　　13. 拧紧硬盘驱动器盖上的 4 颗螺钉 (3)。

　　14. 更换电池。

　　15. 将笔记本计算机右侧向上提起，然后重新连接外部电源和外接设备。

　　16. 打开计算机电源。

　　1、宜鼎国际发表符合工业宽温DDR3内存模块iDIMM

　　2010年由工控内存大厂Innodisk推出一系列支持工控计算机设计的宽温内存iDIMM, iDIMM 比一般标准内存能提供系统更高品质的讯号, 更稳定的系统效能, 更低的系统当机风险。

　　2、IDT推出DDR3内存模块高精度温度传感器

　　IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出首款针对DDR2和DDR3内存模块、固态硬盘和电脑主板市场的高精度温度传感器。新器件有助于企业、移动及嵌入式计算系统以效率运行，通过监测各子系统的温度来节省总电力，提高可靠性和性能。

　　3、A-DATA推出速DDR3内存模块

　　威刚科技(A-DATA Technology)宣布推出速的XPG Plus系列DDR3-2200+ v2.0双信道内存模块，针对的双信道主机版而设计，可使内存模块于1.65V以下的电压下运作，并提供高达2,200MHz的杀手级速度及CL8-8-8-24的低时序。

　　4、美光DDR3服务器内存模块通过Intel下一代至强处理器认证

　　美光科技股份有限公司宣布它的一组DDR3服务器内存模块已经通过英特尔下一代至强处理器芯片的认证。经认证的美光1、2、4和8GB DDR3模块着重于性能，提供1066Mb/s和1333Mb/s的速度，大大地提高服务器吞吐量。

　　5、劲永国际推出Turbo DDR3-2000双信道超频内存模块

　　劲永国际(PQI)推出运算时脉可达16,000MHz的Turbo DDR3-2000 2GB x2双信道内存模块。PQI Turbo DDR3-2000内存模块双信道的容量内存可减少系统对硬盘中虚拟内存的使用，让整体计算机系统的运作反应更快速。

　　6、奇梦达1GB和2GB的省电DDR3 SO-DIMMs开始出货

　　奇梦达公司日前宣布1GB和2GB的DDR3 SO-DIMM内存模块(Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的样品开始出货给主要客户，以布局下一代的笔记型计算机市场。奇梦达将其的DDR3 SO-DIMMs化，提供了超强的省电功能，已居于业界领导地位。

　　7、奇梦达推出针对超便携移动个人电脑应用的1GB微型DIMM模块

　　奇梦达公司(Qimonda)近日宣布推出全新的DDR2微型DIMM(双列直插式内存模块)产品，其中包括针对“不间断运行”超便携移动个人电脑优化的版本。新的1GB内存产品符合微型DIMM的JEDEC标准规范，尺寸仅为同等容量SO-DIMM(小型DIMM)的65%。

　　8、意法推出的DRAM内存模块标准专用温度传感器STTS424

　　意法半导体(ST)日前推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDEC JC42.4的规定。

　　9、安森美发布两款时钟分配器件NB4N121K和NB4N111K

　　安森美半导体为计算、数据存储、连网和消费应用的同步存储器模块推出两款新的时钟分配器件，扩展了高性能ECLinPS时钟管理产品系列。新的NB4N121K和NB4N111K为全面缓冲双列直插内存模块(FBDIMM)应用提供差分主时钟信令等级(HCSL)输出和极低传输延迟变异。

　　10、全球DRAM模块厂排名新近出炉，中国等新兴国家表现优异

　　根据集邦(DRAMeXchange)研究数据显示，2006年全球DRAM内存模块实际销售额为63亿美元。其中，台湾品牌内存模块厂商于前20名中占有9名，市占率超过37%。相较于2006 Q1的23%，台湾厂商于2006下半年的成长力道惊人。

　　11、PericomPCIe Gen2时钟缓冲器支持5.0Gbps

　　Pericom Semiconductor Corporation宣布推出一种新型PCIe Gen2时钟缓冲器系列。该系列产品为5.0Gbps速率的串行连接提供了参考时钟，并满足了面向工作站和服务器应用的Fully Buffered DIMM内存模块对于参考时钟的要求。

　　12、WLP技术+90nm工艺：打造800MHz 2G DDR2内存！

　　Hynix半导体公司开发出2GB DDR2内存模块，运行速度达800MHz，据该公司称，这款产品为行业同类产品中的佼佼者。

　　13、奇梦达宣布通过英特尔认证，内存缓冲芯片开始量产

　　奇梦达股份公司日前宣布，该公司用于开发高性能计算机服务器存储模块的关键组件内存缓冲（AMB）芯片，通过了英特尔针对Bensley服务器平台的内存产品认证。这次AMB芯片认证和量产，使得奇梦达成为全球可提供双数据速率（DDR2）全缓冲双线内存模块（FB-DIMM）所有组件的存储产品供应商，公司供应的产品既有整装内存模块，又有由客户进行集成的组件。

　　14、劲永国际发布2GB DDR2内存模块，达到667MHz

　　为准备迎接Windows Vista操作系统上市，劲永国际(PQI)日前特别推出采用DDR2双信道搭配2GB高容量组合的DDR2-533 2GB桌上型专用内存模块，此款产品经过测试，可飙至667MHz以上的频率速度或CL值3-3-3-8低时序，效能表现优异。

　　15、PQI推出性能优异的桌上型专用内存模块

　　为准备迎接Windows Vista操作系统上市，劲永国际(PQI)日前特别推出采用DDR2双信道搭配2GB高容量组合的DDR2-533 2GB桌上型专用内存模块，此款产品经过测试，可飙至667MHz以上的频率速度或CL值3-3-3-8低时序，效能表现优异。

　　16、ISSI的2Kb串行EEPROM应用于DDR2内存模块

　　Integrated Silicon Solution日前推出2K Bit串行EEPROM专为DDR2内存模块应用的高性能芯片。IS34C02B是ISSI推出的又一款高度集成的电可擦除的可编程的存储器IC，专门用作DDR2内存模块，有高度的可靠性，优良的性能，极大的降低了系统成本。

　　17、NVIDIA发表专为提升系统性能设计的EPP内存规格

　　NVIDIA公司宣布一项名为Enhanced Performance Profiles(EPP)的内存开发成果，可让消费者轻易设定工作在高性能DIMM内存模块中有关内存性能的各项进程，并让整体PC系统性能达到更高水平。同时，NVIDIA也宣布Corsair内存公司成为支持全新EPP规格的内存供货商，而其所支持EPP规格的DIMM内存模块也将于五月上市。

　　18、英飞凌推进DDR2 FB-DIMM部署，提供AMB芯片

　　英飞凌科技日前宣布，该公司正在推出双数据速率2(DDR2)全缓冲内存模块(FB-DIMM)样品。

　　19、英飞凌推出容量高达2GB的小型DIMM

　　英飞凌科技日前宣布，该公司正在推出容量为512MB、1GB与2GB的DDR2 VLP-DIMM(小型内存模块)样品。

　　20、Micron的VLP MINI内存模块针对网络应用

　　美光科技(Micron Technology)公司面向网络和通信设备推出两款DDR2 VLP MiniDIMM——PC2-5300和PC2-6?00，为Registered和Unbuffered的内存，提供的存储密度有256MB、512MB和1GB，高度仅18.29mm，在网络服务器、路由器、交换机、网关及集线器应用中可提供更高的性能。

　　21、Elpida的4GB FB-DIMM内存模块有助提升系统散热性能

　　Elpida公司近日发布了容量达4GB的Fully Buffered Dual In-Line Memory Modules (FB-DIMMs)内存模块，其产品编号分别为EBE41FE4AAHA-5C-E和EBE41FE4AAHA-6E-E。

　　22、Micron的512MB和1GB超低矮型内存模块适用于刀片服务器

　　Micron Technology公司推出适用于机架式刀片服务器，密度为512MB和1GB的超低矮型(VLP)内存模块。

　　23、3D Plus推出商用现货抗辐射内存模块

　　3D Plus公司推出商用现货抗辐射内存模块，适用于商用通道或远太空科学探险等应用。

　　24、Spansion展出全系列NOR闪存，512Mb产品业界

　　4月4日，由AMD和富士通公司的闪存部门合并而成的Spansion公司在深圳举行的第十届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China 2005)B31展台上展出了广泛的NOR闪存产品——包括目前业界量产的512Mb NOR闪存设备，一款集成了基于Spansion公司先进的MirrorBitTM技术，采用容量达512Mb的NOR闪存设备的无线手机。同时，Spansion还突出展示了几款系统级开发工具，如基于推出的PISMO接口标准的内存模块。Spansion还为与会者简要介绍了适用于汽车、消费电子、个人电脑、外设、电信、网络和无线行业的SpansionNOR闪存产品。

　　25、英飞凌4.1mm厚服务器内存采用双裸片技术实现容量倍增

　　英飞凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布推出世界上条采用双裸片(dual-die)技术、存储容量4GB、用于服务器的DDR2 Registered DIMM内存模块样品。

　　26、Intel于IDF上发布有助加速FB-DIMM推广的开发套件

　　在最近于美国旧金山举行的Intel开发者论坛(IDF)上，Intel公司推出了一种可加速完全缓存双列直插内存模块(FB-DIMM)技术，及推广即将在Intel的代号Bensley的多内核服务器平台上出现的新技术所用到的产品开发套件。

　　27、英飞凌率先开发出新一代服务器内存模块

　　英飞凌科技公司(Agilent Technologies)日前宣布，该公司开发的全缓冲服务器内存模块(FB-DIMM)样品成功启动了来自主要OEM的标准服务器系统。

　　28、LSI推出PowerPC 476 MCU内核和高速嵌入式DRAM内存模块

　　LSI公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微处理器内核和高速嵌入式 DRAM 内存模块，进一步丰富了其业界的定制芯片 IP 产品系列。