陶瓷介质的代号是按其陶瓷材料的温度特性来命名的。 目前国际上通用美国EIA标准的叫法，用字母来表示。常用的几种陶瓷材料的含义如下：
Y5V：温度特性Y代表 －25℃； 5代表＋85℃；
温度系数V代表 －80％ ～ ＋30％
Z5U：温度特性Z代表 ＋10℃； 5代表＋85℃；
温度系数U代表 －56％ ～ ＋22％
X7R：温度特性X代表 －55℃； 7代表＋125℃
温度系数R代表 ± 15％
NP0：温度系数是30ppm/℃（-55℃～＋125℃）
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL） ；②高频热稳定电容器瓷（NPO） ；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U） 。
高频热补偿、热稳定电容器瓷属Ⅰ类瓷，其瓷料主要成分是MgTiO3、Ti9Ba2O20、BaTi4O9和Nd-Ba-Ti再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。其特点是介电常数较小（10～100） ，介质损耗小（小于15×10-4） ，介电常数一般不随温度的变化而变化。高频热补偿电容瓷常用来制造负温产品，此类产品用途最广的地方就是振荡回路，像彩电高频头。大家知道，振荡回路都是由电感和电容构成，回路中的电感线圈一般具有正的电感温度系数。
因此，为了保持振荡回路中频率(F=1/2π√ LC )不随温度变化而发生漂移，就必须先用具有适当的负温度系数的电容器来进行补偿。
低频高介电容器瓷属Ⅱ类瓷，是强介铁电陶瓷，一般是指具有自发极化特性的非线性陶瓷材料，其主要成份是钛酸钡（BaTiO3） ，其特点是介电系数特别高，一般数千，甚至上万；介电系数随温度呈非线性变化，介电常数随施加的外电场有非线性关系。
按RIA标准可以分为：
Ⅰ类陶介 Ⅱ类陶介 Ⅲ类陶介
Ⅰ类陶介主要用于制造高频电路中使用的陶瓷介质电容器
Ⅱ类陶介主要用于制造低频电路中使用的陶瓷介质电容器，一般为铁电陶瓷
Ⅲ类陶介其表观介电常数很高，是用于射电频段内的典型高频装置瓷。
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