GRT155C81A225KE13J 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率晶体管，专为高频、高效率电源应用设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电及电源管理等领域。其封装形式为 TO-263-7L（D2PAK-7），适合表面贴装工艺。
GRT155C 系列晶体管在高频工作条件下表现出优异的性能，同时支持高电流密度和高电压操作。通过优化的栅极驱动设计，可以显著降低开关损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：40A
典型导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：75nC
输入电容：2200pF
反向传输电容：380pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 基于先进的 GaN 技术，具备超低导通电阻和极快的开关速度，能够显著减少传导和开关损耗。
2. 支持高达 1MHz 的开关频率，非常适合高频应用场合。
3. 内置 ESD 保护电路，增强了器件的可靠性。
4. 提供短路保护功能，在异常情况下可有效保护器件免受损坏。
5. 符合 RoHS 标准，并且满足无铅焊接要求。
6. 高效的热管理设计，确保在高功率密度下稳定运行。
1. 高频 DC-DC 转换器设计，用于服务器、通信设备等场景。
2. 电动汽车中的电机控制器及车载充电器。
3. 消费类电子产品的快速充电模块，如 USB-PD 充电器。
4. 工业自动化设备中的电源管理系统。
5. 无线电力传输系统的核心功率元件。
6. LED 驱动器以及高效照明解决方案。
EPC2020、PSMN0R9-100USB 和 Infineon 的 IPT020N10S4。这些替代品均采用了类似的 GaN 或 SiC 技术，但在具体参数上可能略有差异，请根据实际需求选择合适的型号。
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