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GRT155C81A225KE13J
阅读:25时间:2025-03-17 16:17:56

GRT155C81A225KE13J 是一种基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,专为高频、高效率电源应用设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 技术,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、无线充电及电源管理等领域。其封装形式为 TO-263-7L(D2PAK-7),适合表面贴装工艺。
  GRT155C 系列晶体管在高频工作条件下表现出优异的性能,同时支持高电流密度和高电压操作。通过优化的栅极驱动设计,可以显著降低开关损耗并提高整体系统效率。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:40A
  典型导通电阻:1.9mΩ
  栅极电荷:75nC
  输入电容:2200pF
  反向传输电容:380pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 基于先进的 GaN 技术,具备超低导通电阻和极快的开关速度,能够显著减少传导和开关损耗。
  2. 支持高达 1MHz 的开关频率,非常适合高频应用场合。
  3. 内置 ESD 保护电路,增强了器件的可靠性。
  4. 提供短路保护功能,在异常情况下可有效保护器件免受损坏。
  5. 符合 RoHS 标准,并且满足无铅焊接要求。
  6. 高效的热管理设计,确保在高功率密度下稳定运行。

应用

1. 高频 DC-DC 转换器设计,用于服务器、通信设备等场景。
  2. 电动汽车中的电机控制器及车载充电器。
  3. 消费类电子产品的快速充电模块,如 USB-PD 充电器。
  4. 工业自动化设备中的电源管理系统。
  5. 无线电力传输系统的核心功率元件。
  6. LED 驱动器以及高效照明解决方案。

替代型号

EPC2020、PSMN0R9-100USB 和 Infineon 的 IPT020N10S4。这些替代品均采用了类似的 GaN 或 SiC 技术,但在具体参数上可能略有差异,请根据实际需求选择合适的型号。

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