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H5VU25UE
阅读:20时间:2025-03-17 15:51:55

H5VU25UE 是一款由 SK Hynix 生产的大容量 NAND 闪存芯片,广泛应用于存储设备中。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备高密度、高性能和低功耗的特点。它通常用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储以及消费类电子产品的数据存储解决方案。
  H5VU25UE 的主要特点是其采用了 TLC(Triple-Level Cell)技术,每个存储单元可以存储 3 位数据,从而在相同的物理空间内实现更高的存储密度。此外,该芯片支持高速接口协议,例如 Toggle Mode 2.0 或 ONFI 4.0,能够满足现代存储设备对速度和可靠性的要求。

参数

容量:256GB
  接口类型:Toggle Mode 2.0 / ONFI 4.0
  存储技术:TLC NAND
  封装形式:BGA
  工作电压:1.8V
  读取速度:最高可达 500 MB/s
  写入速度:最高可达 200 MB/s
  擦写寿命:约 1000 次

特性

H5VU25UE 芯片具有以下显著特性:
  1. 高存储密度:通过 TLC 技术实现了每颗芯片高达 256GB 的存储容量,非常适合需要大容量存储的应用场景。
  2. 快速数据传输:支持最新的 NAND 接口协议(如 Toggle Mode 2.0 和 ONFI 4.0),确保了高效的数据读写能力。
  3. 低功耗设计:优化的电路设计使其能够在保持高性能的同时降低能耗,延长电池供电设备的续航时间。
  4. 可靠性与耐用性:尽管 TLC 技术的擦写寿命相对较低,但通过先进的磨损均衡算法和 ECC(错误校正码)技术,进一步提升了数据的完整性和可靠性。
  5. 小型化封装:采用 BGA 封装方式,使得芯片体积更小,适合紧凑型设计需求。

应用

1. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 的核心存储组件,提供大容量和高性能的数据存储功能。
  2. 嵌入式存储:适用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的 eMMC 或 UFS 存储模块。
  3. 工业级存储设备:可用于工业计算机、监控系统等需要稳定存储性能的场合。
  4. 消费电子产品:包括数码相机、游戏机等需要快速数据处理和存储的设备。
  5. 备份与存储解决方案:如 USB 闪存盘、存储卡等外部存储介质。

替代型号

1. H5TC25T2MFR: 同样为 256GB 容量,采用 MLC 技术,擦写寿命更高,但成本也相对较高。
  2. KBG30ZMV256G-T50A: 一款来自 Kingston 的 TLC NAND 芯片,容量相同,适用于 SSD 解决方案。
  3. TH58LJT0T24BAIR: Toshiba 生产的 TLC NAND 芯片,容量为 256GB,支持类似的接口标准。
  4. MX30UF256AC: Micron 的 TLC NAND 产品,容量一致,性能表现优异。
  选择替代型号时需考虑兼容性、接口协议及目标应用的具体要求。

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