FD6288T是一款高性能的三相半桥栅极驱动集成电路,专为高压、高速驱动MOSFET或IGBT设计。它广泛应用于电机驱动、电源管理和逆变器等场景中。
FD6288T集成了三个独立的半桥驱动电路,能够同时驱动三对高侧和低侧功率MOSFET或IGBT。它采用高低压兼容工艺,支持单芯片集成高侧和低侧驱动电路,简化了系统设计。
高压能力:
悬浮绝对电压可达 +250V。
电源电压范围:
工作电压范围:5.0V 至 20V。
输出电流:
输出驱动能力:+1.5A(源电流)/-1.8A(灌电流)。
逻辑兼容性:
输入逻辑兼容 3.3V 和 5V 系统。
保护功能:
内置 VCC/VBS 欠压锁定(UVLO)保护。
内置直通防止功能,避免高侧和低侧 MOSFET 同时导通。
内置 200ns 死区时间,进一步防止直通。
输入滤波:
内置输入信号滤波功能,有效抑制噪声干扰。
通道匹配:
高低端通道匹配良好,确保一致的驱动性能。
输出与输入同相:
输出信号与输入信号保持同相关系。
电机驱动:三相无刷直流电机(BLDC)驱动。伺服电机驱动。
电源管理:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器。
逆变器:家用太阳能逆变器、UPS 系统。
电动工具:用于控制高效功率转换。
自举电容选择:
高侧驱动需要外部自举电容(通常为 0.1μF 至 0.47μF),以提供足够的浮动电源。
死区时间设置:
内置 200ns 死区时间,但可根据具体应用需求调整外部电路。
散热设计:
在高功率应用场景下,注意散热设计以避免过热。
输入信号完整性:
确保输入信号干净,避免高频噪声干扰。
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