存储容量：128Mb (16M x 8)，等同于16MB的非易失性存储空间。
　　接口类型：支持标准SPI、双线SPI（Dual I/O）、四线SPI（Quad I/O），以及快速四线SPI（QPI）模式，提供灵活的数据传输选项。
　　时钟频率：最高支持104MHz的时钟频率，确保高速数据传输。
　　写入速度：字写周期只需50微秒，页写周期为3毫秒，满足快速编程需求。
　　工作电压：2.7V至3.6V的工作电压范围，适应多种电源环境。
　　温度范围：工业级温度范围从-40°C到+85°C，适合在广泛的工作环境中使用。
　　封装形式：常见的封装包括SOP-8和WSON-8，尺寸紧凑，便于PCB布局。
　　擦除/写入单位：最小擦除单位为一个扇区（4KB），页编程单位为256字节。
　　保护机制：内置写保护功能，防止意外写入或擦除操作。
　　环保认证：符合RoHS3规范，确保产品无铅且对环境友好。

块和扇区划分：整个存储空间被划分为256个块（Block），每个块大小为64KB。每个块又进一步划分为16个扇区（Sector），每个扇区大小为4KB。
　　地址映射：通过24位地址来访问存储器中的任意位置，允许用户读取或写入特定的数据。
　　操作指令
　　读制造商/设备ID：命令码0x90用于读取制造商ID（通常为0xEF）和设备ID（例如对于W25Q128为0x17）。
　　写使能（Write Enable）：命令码0x06用于开启写保护，允许接下来的擦除或编程操作。
　　读数据（Read Data）：命令码0x03用于连续读取一个或多个数据字节。
　　页编程（Page Program）：命令码0x02用于向已擦除的存储单元中写入最多256字节的数据。
　　扇区擦除（Sector Erase）：命令码0x20用于擦除一个4KB的扇区。
　　块擦除（Block Erase）：命令码0xD8用于擦除一个64KB的块。
　　芯片擦除（Chip Erase）：命令码0xC7用于擦除整个芯片的所有内容。

代码存储：用于存储微控制器或其他处理器的固件代码。
　　数据记录：保存配置参数、日志信息或者其他需要持久化的数据。
　　固件更新：支持通过空中下载（OTA）进行远程固件升级。
　　消费电子产品：如智能手机、平板电脑、数码相机等便携式设备中的程序和数据存储。
　　工业自动化：用于PLC、HMI等人机界面设备中的程序和数据存储。
　　通信模块：在网络路由器、调制解调器等通信设备中作为引导加载程序（Bootloader）或应用程序的存储介质。

缓存区要求：由于最小擦除单位是4KB，因此在进行写入操作之前，可能需要准备至少4KB的SRAM缓存区，以保证数据的一致性和完整性。
　　状态寄存器检查：在执行任何写入或擦除操作前，应先查询状态寄存器（Status Register）中的写使能位（WEL）是否为1，并在操作完成后确认忙碌位（BUSY）是否已经清零。
　　可靠性和耐久性：考虑到闪存有一定的写入/擦除寿命限制，设计时应当注意优化算法，尽量减少不必要的擦写次数，延长芯片使用寿命。