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发布采购信息修改/删除采购【看报价】

IXFB30N120Q2
阅读：15时间：2024-09-25 10:33:56

目录

参数
封装参数

参数

类别：分离式半导体产品
　　家庭：MOSFET，GaNFET-单
　　FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
　　FET特点：标准型
　　漏极至源极电压(Vdss)：1200V(1.2kV)
　　电流-连续漏极(Id)25°C：30A

封装参数

安装类型：通孔
　　封装/外壳：ISOPLUS264?
　　包装：管件

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