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IXFC14N80P
阅读:411时间:2024-09-25 09:21:42

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:PolarHV?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:770毫欧 7A,10V
  漏极至源极电压(Vdss):800V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:8A
  Id时的Vgs(th)(最大):5.5V 4mA
  闸电荷(Qg) Vgs:61nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):3900pF 25V
  功率-最大:130W

封装参数

安装类型:通孔
  封装/外壳:ISOPLUS220?
  包装:管件

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