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IXFR30N60P
阅读:462时间:2024-09-24 11:36:52

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:PolarHV?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:250毫欧 15A,10V
  漏极至源极电压(Vdss):600V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:15A
  Id时的Vgs(th)(最大):5V 4mA
  闸电荷(Qg) Vgs:85nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):3820pF 25V
  功率-最大:166W

封装参数

安装类型:通孔
  封装/外壳:ISOPLUS247?
  包装:管件

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