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IXFV18N60PS
阅读:18时间:2024-09-23 13:46:09

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:PolarHV?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:400毫欧 500mA,10V
  漏极至源极电压(Vdss):600V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:18A
  Id时的Vgs(th)(最大):5.5V 2.5mA
  闸电荷(Qg) Vgs:50nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):2500pF 25V
  功率-最大:360W

封装参数

安装类型:表面贴装
  封装/外壳:PLUS-220SMD
  包装:管件

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