类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET-单
系列：HiPerFET?
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大） Id,Vgs 25°C：27毫欧 500mA,10V
漏极至源极电压(Vdss)：250V
电流-连续漏极(Id) 25°C：100A
Id时的Vgs(th)（最大）：4V 8mA
闸电荷(Qg) Vgs：300nC 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：9100pF 25V
功率-最大：560W
安装类型：通孔
封装/外壳：PLUS247?-3
包装：管件
维库电子通，电子知识，一查百通！
已收录词条48232个
