您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

ATTINY261-20MU
阅读:93时间:2024-09-13 09:23:23

ATTINY261-20MU是一款基于AVR增强型LButtonRISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行功能强大的指令,ATTINY261-20MU实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,从而使系统设计者能够优化功耗和处理速度。

目录

参数

类别:集成电路(IC)
  家庭:嵌入式-微控制器,
  系列:AVR ATtiny
  核心处理器:AVR
  芯体尺寸:8-位
  速度:20MHz
  连通性:USI
  外围设备:欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
  输入/输出数:16
  程序存储器容量:2KB(2K x 8)
  程序存储器类型:FLASH
  EEPROM大小:128 x 8
  电压-电源(Vcc/Vdd):2.7 V~5.5 V
  数据转换器:A/D 11x10b
  振荡器型:内部
  电源电压(DC):5.00 V,5.50 V(max)
  时钟频率:20.0 MHz,20.0 MHz(max)
  RAM大小:128 x 8
  I/O引脚数:16
  存取时间:20.0μs
  核心架构:AVR
  工作温度(Max):85℃
  工作温度(Min):40℃
  电源电压(Max):5.5 V
  电源电压(Min):2.7 V
  引脚数:32
  长度:5 mm
  宽度:5 mm
  高度:0.88 mm
  工作温度:-40℃~85℃(TA)
  封装/外壳:32-VQFN,32-HVQFN,32-SQFN,32-DHVQFN
  包装:托盘

特性

高性能、低功耗AVR?8位微控制器
  高级RISC架构
  –123强大的指令–大多数单时钟周期执行
  –32 x 8通用工作寄存器
  –全静态操作
  非易失性程序和数据存储器
  –2/4/8K字节系统内可编程程序内存闪存(ATtiny261/461/861)耐久性:10000个写入/擦除周期
  –128/256/512字节系统可编程EEPROM(ATtiny261/461/861)耐久性:100000写入/擦除周期
  –128/256/512字节内部SRAM(ATtiny261/461/861)
  -编程锁,用于自动编程Flash程序和EEPROM数据安全
  外围功能
  –8/16位定时器/计数器,带预分频器和两个PWM通道
  –8/10位高速定时器/计数器,带单独的预分频器
  3个带独立输出比较寄存器的高频PWM输出可编程死区时间发生器
  –带启动条件检测器的通用串行接口
  –10位ADC
  11个单端信道
  16个差分ADC通道对
  15个带可编程增益的差分ADC通道对(1x、8x、20x、32x)
  –带独立片上振荡器的可编程看门狗定时器
  –片上模拟比较器
  特殊微控制器功能
  –debugWIRE片上调试系统
  –通过SPI端口进行系统内编程
  –外部和内部中断源
  –低功耗闲置、ADC降噪和断电模式
  –增强型上电复位电路
  –可编程断电检测电路
  –内部校准振荡器
  I/O和包
  –16条可编程I/O线
  –20针PDIP、20针SOIC和32片MLF
  工作电压:
  –1.8-5.5V,适用于ATtiny261V/461V/861V
  –2.7-5.5V,适用于ATtiny261/461/861
  速度等级:
  –ATtiny261V/461V/861V:0-4 MHz 1.8-5.5V,0-10 MHz 2.7-5.5V
  –ATtiny261/461/861:0-10兆赫 2.7-5.5伏,0-20兆赫 4.5-5.5伏
  工业温度范围
  低功耗
  –有源模式:1 MHz,1.8V:380μA
  –断电模式:0.1μA,1.8V

维库电子通,电子知识,一查百通!

已收录词条48051