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IXTP3N100P
阅读:351时间:2024-09-06 15:27:20

技术参数

耗散功率:125W(Tc)
  漏源极电压(Vds):1000 V
  上升时间:27 ns
  输入电容(Ciss):1100pF 25V(Vds)
  下降时间:29 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):125W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

物理参数

工作温度:-55℃~150℃(TJ)

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