CENTRAL半导体CZT5551型是一种NPN硅晶体管，通过外延平面工艺制造，环氧树脂模制在表面安装封装中，专为高压放大器应用而设计。
生产厂家:美国中央固体工业公司
制作材料:Si-NPN
性质:射频/高频放大（HF），功率放大（L）
封装形式:射频/高频放大（HF），功率放大（L）
极限工作电压:160V
最大工作频率:100MHZ
引脚数:3
可代换的型号:
最大耗散功率:2W
集电极-基极反向击穿电压V(BR)：180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)：160V
集电极连续输出电流：600mA/0.6A
截止频率f(fT)：100~300MHz
直流电流增益(hFE)：80~250
管压降VCE：1.5V
耗散功率：2W
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