IRF5803TRPBF是一款HEXFET?单P沟道功率MOSFET,采用先进的技术,可实现极低的导通电阻.这些性能为设计人员提供了一款效率极高的器件,可用于电池和负载管理应用.非常适用于印刷电路板空间,以及非常宝贵的应用.独特的散热设计和低RDS(ON),使电流处理能力增加了近300％是DC开关和负载开关的理想选择。
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面安装
有磁带和卷轴两种
低栅极电荷
无铅无卤
额定功率：1.3 W
针脚数：6
漏源极电阻：0.112Ω
极性：P-Channel
耗散功率：2 W
阈值电压：3 V
输入电容：1110 pF
漏源极电压(Vds)：40 V
连续漏极电流(Ids)：3.4A
上升时间：550 ns
输入电容(Ciss)：1110pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：2 W
下降时间：50 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：2W(Ta)
安装方式：Surface Mount
引脚数：6
封装：TSOT-23-6
长度：3mm
封装：TSOT-23-6
材质：Silicon
工作温度：-55℃~150℃(TJ)
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
制造应用：电源管理
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
维库电子通，电子知识，一查百通！
已收录词条48011个
