此数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。这种MOSFET利用最新的加工技术来实现每硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以提高关键的D类音频放大器性能因素，如效率、THD和EMI。这种MOSFET的其他特性是175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用的高效、坚固和可靠的器件。
针对D类音频放大器应用优化的关键参数
低RDSON，提高效率
低QG和QSW，可获得更好的总谐波失真和更高的效率
低QRR可获得更好的THD和更低的EMI
75°C工作结温，坚固耐用
在半桥配置放大器中，每个通道可向28?2负载提供高达300W的功率
额定功率：100 W
针脚数：3
漏源极电阻：0.1Ω
极性：N-Channel
耗散功率：100 W
阈值电压：4.9 V
输入电容：1200 pF
漏源极电压(Vds)：200 V
连续漏极电流(Ids)：18A
上升时间：12 ns
输入电容(Ciss)：1200pF 50V(Vds)
额定功率(Max)：100 W
下降时间：6.3 ns
工作温度(Max)：175℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：100W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.66 mm
宽度：4.82 mm
高度：9.02 mm
封装：TO-220-3
材质：Silicon
工作温度：-55℃~175℃(TJ)
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：Audio,Consumer Electronics,Power Managemen
维库电子通，电子知识，一查百通！
已收录词条48011个
