这款HEXFET?功率MOSFET采用最新的加工技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。这种设计的其他特点是175°C的结工作温度、快速的开关速度和改进的竞争性雪崩额定值。这些功能相结合，使这种设计成为一种极其高效和可靠的设备，可用于各种其他应用。
先进工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换重复
允许雪崩达到Tjmax
无铅
额定功率：330 W
针脚数：3
漏源极电阻：0.0023Ω
极性：N-Channel
耗散功率：330 W
阈值电压：4 V
输入电容：6450 pF
漏源极电压(Vds)：40 V
漏源击穿电压：40 V
连续漏极电流(Ids)：280A
上升时间：120 ns
输入电容(Ciss)：6450pF 25V(Vds)
下降时间：130 ns
工作温度(Max)：175℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：300W(Tc)
安装方式：Through Hole
引脚数：3
封装：TO-220-3
长度：10.66 mm
宽度：4.83 mm
高度：9.02 mm
封装：TO-220-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tube
制造应用：电源管理
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